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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7601TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF7601TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7601TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7601TRPBF价格参考￥1.30-￥1.44。International RectifierIRF7601TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 20V 5.7A（Ta） 1.8W（Ta） Micro8™。您可以下载IRF7601TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7601TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 20V 5.7A MICRO8MOSFET MOSFT 20V 5.7A 35mOhm 14nC Micro 8
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	5.7 A
Id-连续漏极电流	5.7 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7601TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7601TRPBF
PCN设计/规格	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	1.8 W
Pd-功率耗散	1.8 W
Qg-GateCharge	14 nC
Qg-栅极电荷	14 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	35 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	0.035 Ohms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	650pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	22nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	35 毫欧 @ 3.8A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	Micro8™
其它名称	IRF7601TRPBF-ND IRF7601TRPBFTR
功率-最大值	1.8W
包装	带卷（TR）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
封装	Reel
封装/外壳	8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
封装/箱体	Mirco-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.7A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7601.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7601.spi