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IRF7530TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7530TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7530TRPBF价格参考¥2.08-¥5.10。International RectifierIRF7530TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 5.4A 1.3W 表面贴装 Micro8™。您可以下载IRF7530TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7530TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
Ciss-输入电容 | 1.31 nF |
描述 | MOSFET N-CH DUAL 20V 5.4A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8 |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 5.4 A |
Id-连续漏极电流 | 5.4 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7530TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7530TRPBF |
PCN设计/规格 | |
Pd-PowerDissipation | 1.3 W |
Pd-功率耗散 | 1.3 W |
Qg-GateCharge | 18 nC |
Qg-栅极电荷 | 18 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.2 V |
上升时间 | 11 ns |
下降时间 | 16 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1310pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 26nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 5.4A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | Micro8™ |
其它名称 | IRF7530TRPBF-ND |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 1.3W |
包装 | 带卷 (TR) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽) |
封装/箱体 | Micro-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 4,000 |
正向跨导-最小值 | 13 S |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.4A |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |