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  • 型号: IRF7530TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF7530TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7530TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7530TRPBF价格参考¥2.08-¥5.10。International RectifierIRF7530TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 5.4A 1.3W 表面贴装 Micro8™。您可以下载IRF7530TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7530TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

Ciss-输入电容

1.31 nF

描述

MOSFET N-CH DUAL 20V 5.4A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.4A Micro 8

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

5.4 A

Id-连续漏极电流

5.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7530TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7530TRPBF

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.3 W

Pd-功率耗散

1.3 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

30 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.2 V

上升时间

11 ns

下降时间

16 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1310pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

26nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

30 毫欧 @ 5.4A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro8™

其它名称

IRF7530TRPBF-ND
IRF7530TRPBFTR

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

1.3W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

Micro-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

4,000

正向跨导-最小值

13 S

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.4A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

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