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  • 型号: IRF7503TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7503TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7503TRPBF价格参考。International RectifierIRF7503TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7503TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7503TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8MOSFET MOSFT DUAL NCh 30V 2.4A Micro 8

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

2.4 A

Id-连续漏极电流

2.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7503TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7503TRPBF

PCN设计/规格

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Pd-PowerDissipation

1.25 W

Pd-功率耗散

1.25 W

Qg-GateCharge

7.8 nC

Qg-栅极电荷

7.8 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

135 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

135 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

5.3 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

210pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

12nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

135 毫欧 @ 1.7A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

Micro8™

其它名称

IRF7503TRPBFCT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

1.25W

功率耗散

1.25 W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

135 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)

封装/箱体

Micro-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

7.8 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

1.9 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

2.4 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.4A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

+/- 20 V

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