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IRF7470PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7470PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7470PBF价格参考。International RectifierIRF7470PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 10A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7470PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7470PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7470PBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于多种电力电子设备中。该型号具有低导通电阻和快速开关特性,适用于需要高效能、低损耗的场景。 应用场景 1. 电源管理: - 开关电源 (SMPS):IRF7470PBF 常用于开关电源中的功率转换部分,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻有助于减少能量损耗,提高电源效率。 - 电池管理系统 (BMS):在电池充电和放电过程中,MOSFET 可以作为开关元件,精确控制电流流动,确保电池安全和延长使用寿命。 2. 电机驱动: - 无刷直流电机 (BLDC):MOSFET 在无刷直流电机驱动电路中起着关键作用,用于控制电机绕组的电流方向和大小,实现高效的电机控制。 - 步进电机驱动:通过精确控制电流,MOSFET 可以帮助实现步进电机的平稳运行和高精度定位。 3. 消费电子: - 智能手机和平板电脑:这些设备中的充电电路、背光驱动、音频放大等模块都可能使用到 MOSFET,以实现高效能和小型化设计。 - 笔记本电脑:在笔记本电脑的电源管理和散热系统中,MOSFET 起着重要作用,确保系统的稳定性和性能。 4. 工业自动化: - 可编程逻辑控制器 (PLC):MOSFET 用于 PLC 中的输入输出接口,实现对各种传感器和执行器的控制。 - 变频器:在工业变频器中,MOSFET 用于逆变电路,将直流电转换为交流电,驱动电动机。 5. 汽车电子: - 车载电源系统:在汽车的电源管理系统中,MOSFET 用于稳压、保护和负载切换等功能,确保车内电子设备的正常工作。 - 车身控制系统:如车窗升降、座椅调节等,MOSFET 可以提供高效可靠的开关控制。 总的来说,IRF7470PBF 以其优异的电气特性和可靠性,广泛应用于各类电力电子设备中,特别是在需要高效能和低功耗的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOICMOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 13mOhms 29nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
Id-连续漏极电流 | 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7470PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7470PBF |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 29 nC |
Qg-栅极电荷 | 29 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 15 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 15 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 0.8 V to 2 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.8 V to 2 V |
上升时间 | 1.9 ns |
下降时间 | 3.2 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3430pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13 毫欧 @ 10A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 95 |
正向跨导-最小值 | 27 S |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7470.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7470.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |