【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF7452TRPBF】封装/厂家_IRF7452TRPBF中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7452TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF7452TRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7452TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7452TRPBF价格参考。International RectifierIRF7452TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 100V 4.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7452TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7452TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOICMOSFET MOSFT 100V 4.5A 60mOhm 33nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	4.5 A
Id-连续漏极电流	4.5 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7452TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7452TRPBF
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	33 nC
Qg-栅极电荷	33 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	60 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	60 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	100 V
Vds-漏源极击穿电压	100 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vgs-栅源极击穿电压	30 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	5.5V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	930pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	50nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	60 毫欧 @ 2.7A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF7452TRPBF IRF7452PBFCT
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	100V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.5A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7452.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7452.spi