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  • 型号: IRF7450PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7450PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7450PBF价格参考。International RectifierIRF7450PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7450PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7450PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 2.5A 8-SOICMOSFET 200V 1 N-CH HEXFET 170mOhms 26nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

2.5 A

Id-连续漏极电流

2.5 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7450PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7450PBF

Pd-PowerDissipation

3 W

Pd-功率耗散

3 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vgs-栅源极击穿电压

30 V

上升时间

3 ns

下降时间

18 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

5.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

940pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

39nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

170 毫欧 @ 1.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

17 ns

功率-最大值

2.5W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

95

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

2.5A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7450.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7450.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

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