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  • 型号: IRF7425PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7425PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7425PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7425PBF价格参考。International RectifierIRF7425PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 15A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7425PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7425PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7425PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。该型号广泛应用于各种电力电子设备中,尤其是在需要高效开关和低功耗的应用场景。

 主要应用场景:

1. 电源管理:
   - IRF7425PBF常用于开关电源(SMPS)的设计中,如DC-DC转换器、AC-DC适配器等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少传导损耗,提高效率。
   - 在电池管理系统(BMS)中,该MOSFET可用于电池充放电控制,确保电流在安全范围内流动,防止过充或过放。

2. 电机驱动:
   - 适用于小型电机驱动电路,如步进电机、直流无刷电机(BLDC)等。MOSFET的快速开关特性和低损耗特性使其成为电机控制的理想选择。
   - 在电动工具、家电(如吸尘器、风扇)等设备中,IRF7425PBF可以实现高效的功率传输和精确的速度控制。

3. 负载开关:
   - 在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等,IRF7425PBF可用作负载开关,控制不同模块的供电状态,从而延长电池寿命并提高系统稳定性。
   - 它还可以用于汽车电子系统中的负载切换,如车灯、雨刷等设备的控制。

4. 信号处理与保护:
   - 在通信设备和工业控制系统中,该MOSFET可用于信号隔离和保护电路,防止过流、短路等情况对敏感元件造成损害。
   - 它还可以作为ESD(静电放电)保护元件,确保系统的可靠性和安全性。

 总结:
IRF7425PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,在电源管理、电机驱动、负载开关以及信号处理等多个领域有着广泛的应用。它不仅能够提供高效的功率转换,还能确保系统的稳定性和安全性,是现代电子设计中的重要组件。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOICMOSFET 20V 1 N-CH HEXFET 8.2mOhms 87nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 15 A

Id-连续漏极电流

- 15 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7425PBFHEXFET®

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产品型号

IRF7425PBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

87 nC

Qg-栅极电荷

87 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

8.2 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

8.2 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

20 ns

下降时间

160 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1.2V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

7980pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

130nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.2 毫欧 @ 15A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

230 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

8.2 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

87 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 15 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

15A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7425.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7425.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

12 V

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