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IRF7424PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7424PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7424PBF价格参考。International RectifierIRF7424PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7424PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7424PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7424PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几类: 1. 电源管理:IRF7424PBF适用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源转换中表现出色,能够减少能量损耗,提高系统的整体能效。 2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动小型电机,如步进电机、直流电机等。其快速开关特性和较低的开关损耗有助于实现高效的电机控制,特别适合用于消费电子产品、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动电路。 3. 负载开关:在需要频繁切换负载的应用中,IRF7424PBF可以作为高效的负载开关使用。它能够快速响应负载变化,确保电路的安全性和稳定性,同时减少功耗。典型应用包括笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载管理。 4. 电池保护:在电池管理系统中,IRF7424PBF可以用于电池充放电保护电路。通过精确控制电流路径,它可以防止过充、过放和短路等问题,延长电池寿命并提高安全性。 5. 通信设备:在无线通信基站、路由器和其他网络设备中,IRF7424PBF可用于信号调理和功率放大电路。其低噪声特性和良好的线性度使其成为这些应用的理想选择。 6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如车身控制系统、车载充电器和电动助力转向系统中,IRF7424PBF可以提供可靠的开关性能,满足汽车行业对安全性和可靠性的严格要求。 总之,IRF7424PBF凭借其优异的电气特性,在多种应用场景中都能发挥重要作用,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 11 A |
Id-连续漏极电流 | - 11 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7424PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7424PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 75 nC |
Qg-栅极电荷 | 75 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 22 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 22 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 23 ns |
下降时间 | 76 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4030pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 13.5 毫欧 @ 11A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
典型关闭延迟时间 | 150 ns |
功率-最大值 | 2.5W |
功率耗散 | 2.5 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 22 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 75 nC |
标准包装 | 95 |
汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
漏极连续电流 | - 11 A |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 11A (Ta) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7424.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7424.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Quad Drain Triple Source |
闸/源击穿电压 | 20 V |