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  • 型号: IRF7424PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7424PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7424PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7424PBF价格参考。International RectifierIRF7424PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 11A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7424PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7424PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7424PBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电子设备和系统中。其主要应用场景包括但不限于以下几类:

1. 电源管理:IRF7424PBF适用于开关电源、直流-直流转换器等电源管理系统。其低导通电阻(Rds(on))特性使得它在高效率电源转换中表现出色,能够减少能量损耗,提高系统的整体能效。

2. 电机驱动:该MOSFET可用于驱动小型电机,如步进电机、直流电机等。其快速开关特性和较低的开关损耗有助于实现高效的电机控制,特别适合用于消费电子产品、家用电器和工业自动化设备中的电机驱动电路。

3. 负载开关:在需要频繁切换负载的应用中,IRF7424PBF可以作为高效的负载开关使用。它能够快速响应负载变化,确保电路的安全性和稳定性,同时减少功耗。典型应用包括笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备中的负载管理。

4. 电池保护:在电池管理系统中,IRF7424PBF可以用于电池充放电保护电路。通过精确控制电流路径,它可以防止过充、过放和短路等问题,延长电池寿命并提高安全性。

5. 通信设备:在无线通信基站、路由器和其他网络设备中,IRF7424PBF可用于信号调理和功率放大电路。其低噪声特性和良好的线性度使其成为这些应用的理想选择。

6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如车身控制系统、车载充电器和电动助力转向系统中,IRF7424PBF可以提供可靠的开关性能,满足汽车行业对安全性和可靠性的严格要求。

总之,IRF7424PBF凭借其优异的电气特性,在多种应用场景中都能发挥重要作用,特别是在需要高效、低损耗和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 13.5mOhms 75nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 11 A

Id-连续漏极电流

- 11 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7424PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7424PBF

PCN组件/产地

点击此处下载产品Datasheet

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

75 nC

Qg-栅极电荷

75 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

22 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

22 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

23 ns

下降时间

76 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

4030pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

110nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

13.5 毫欧 @ 11A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

150 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

22 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

75 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

- 30 V

漏极连续电流

- 11 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

11A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7424.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7424.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

20 V

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