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Datasheet下载- 型号： IRF7424GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7424GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7424GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7424GTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 11A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7424GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7424GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7424GTRPBF是一款单通道增强型N沟道MOSFET（金属氧化物场效应晶体管）。它具有低导通电阻和快速开关特性，适用于多种高效能电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： - 该MOSFET广泛应用于各种开关电源（SMPS）中，如AC-DC转换器、DC-DC转换器等。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高电源转换效率。 - 在电池管理系统（BMS）中，用于控制电池充放电路径，确保电流在安全范围内流动。 2. 电机驱动： - 适用于小型电机驱动电路，如步进电机、无刷直流电机（BLDC）等。其快速开关特性和低损耗特性使得电机控制更加高效和精确。 - 在电动工具和家用电器中，用于控制电机的速度和方向，提供稳定的驱动信号。 3. 负载开关： - 作为负载开关，用于控制不同负载之间的电流流动，例如在汽车电子系统中，用于控制车灯、雨刷、风扇等设备的电源供应。 - 在便携式电子设备中，用于实现快速的电源切换，延长电池寿命。 4. 逆变器和UPS系统： - 在逆变器中，用于将直流电转换为交流电，适用于太阳能逆变器、风力发电逆变器等可再生能源系统。 - 在不间断电源（UPS）系统中，用于在市电中断时迅速切换到备用电池供电，确保设备持续运行。 5. 保护电路： - 用于过流保护、短路保护等电路中，通过快速切断电流路径来保护下游电路免受损坏。 - 在通信设备和工业控制系统中，作为保护元件，防止过载和异常情况对系统造成损害。 6. 音频放大器： - 在D类音频放大器中，作为输出级开关器件，提供高效的功率输出，同时保持较低的热损耗，提升音质表现。 总之，IRF7424GTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，适用于广泛的电力电子应用领域，特别是在需要高效、快速响应和低损耗的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -11A 13.5mOhm 75nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 11 A |
| Id-连续漏极电流 | - 11 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7424GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7424GTRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 13.5 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 13.5 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 2.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 2.5 V |
| 上升时间 | 23 ns |
| 下降时间 | 76 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4030pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.5 毫欧 @ 11A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7424GTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Ta） |
| 配置 | Single |
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