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  • 型号: IRF7422D2TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
  • 要求:
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7422D2TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7422D2TRPBF价格参考。International RectifierIRF7422D2TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7422D2TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7422D2TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 20V 4.3A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -4.3A 90mOhm 15nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.3 A

Id-连续漏极电流

- 4.3 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7422D2TRPBFFETKY™

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产品型号

IRF7422D2TRPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

15 nC

Qg-栅极电荷

15 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

90 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

90 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

610pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

*IRF7422D2TRPBF
IRF7422D2PBFCT

功率-最大值

2W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A (Ta)

配置

Single with Schottky Diode

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