【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF7413ZTRPBF】封装/厂家_IRF7413ZTRPBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7413ZTRPBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7413ZTRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7413ZTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7413ZTRPBF价格参考。International RectifierIRF7413ZTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7413ZTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7413ZTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7413ZTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要用于功率转换和电机驱动等应用。以下是其主要应用场景：

 1. 电源管理
   IRF7413ZTRPBF常用于开关电源（SMPS）中，作为主开关管或同步整流管。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其能够在高效率的DC-DC转换器、AC-DC适配器以及不间断电源（UPS）系统中发挥重要作用。

 2. 电机驱动
   在电机驱动应用中，该MOSFET可以用于控制直流电机、步进电机和无刷直流电机（BLDC）。它能够承受较高的电流和电压，并且具有较低的热阻，确保在长时间运行时保持稳定性能。此外，其快速开关速度有助于减少电磁干扰（EMI），提高系统的整体可靠性。

 3. 电池管理系统（BMS）
   IRF7413ZTRPBF可用于电池保护电路中，特别是在锂电池管理系统中。它可以作为充放电路径中的开关元件，确保电池在过充、过放、短路等异常情况下得到有效保护。其低导通电阻有助于减少能量损耗，延长电池寿命。

 4. 工业自动化
   在工业自动化领域，这款MOSFET广泛应用于可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器和逆变器等设备中。它能够承受恶劣的工作环境，如高温、高湿度和强振动，确保设备在各种工况下稳定运行。

 5. 消费电子
   该MOSFET还适用于消费电子产品，如笔记本电脑、平板电脑和智能手机的充电器、电源适配器等。其紧凑的封装形式（SO-8）使得它可以在小型化设计中节省空间，同时提供高效的电力传输。

 总结
IRF7413ZTRPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，适用于多种功率管理和电机驱动场景，尤其适合需要高效、紧凑和可靠解决方案的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
Ciss-输入电容	1.21 nF
描述	MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 13A 10mOhm 9.5nC
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	13 A
Id-连续漏极电流	13 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7413ZTRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7413ZTRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	9.5 nC
Qg-栅极电荷	9.5 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	13 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	10.5 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	30 V
Vds-漏源极击穿电压	30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
Vgsth-栅源极阈值电压	1.8 V
上升时间	6.3 ns
下降时间	3.8 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	2.25V @ 25µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1210pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	14nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	10 毫欧 @ 13A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRF7413ZPBFDKR
典型关闭延迟时间	11 ns
功率-最大值	2.5W
功率耗散	2.5 W
包装	Digi-Reel®
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	13 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SO-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	9.5 nC
标准包装	1
正向跨导-最小值	62 S
汲极/源极击穿电压	30 V
漏极连续电流	13 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	13A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7413z.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7413z.spi
配置	Single
闸/源击穿电压	20 V