ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7413TRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF7413TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7413TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7413TRPBF价格参考￥1.65-￥2.06。International RectifierIRF7413TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7413TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7413TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7413TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该器件适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等电源管理系统。由于其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性，能够有效减少功率损耗，提高电源效率。 2. 电机驱动：在无刷直流电机（BLDC）、步进电机和其他类型的电机驱动电路中，IRF7413TRPBF可以作为功率级的一部分，用于控制电机的转速和方向。它能够承受较高的电流和电压，确保电机运行稳定可靠。 3. 电池保护与充电：在锂离子电池组、移动电源以及其他便携式设备的电池管理系统中，该MOSFET可用于过流保护、短路保护以及精确的充放电控制，保障电池安全。 4. 汽车电子：在汽车的车身控制系统、发动机控制单元（ECU）、电动助力转向系统（EPS）等领域，IRF7413TRPBF凭借其耐高温、抗干扰能力强的特点，适合于车载环境下的应用。 5. 消费类电子产品：如笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携式设备中的负载开关、音频放大器等场合，这款MOSFET同样表现出色，有助于实现小型化设计并降低功耗。 6. 工业自动化：在工业机器人、PLC（可编程逻辑控制器）、伺服驱动器等工业控制领域，IRF7413TRPBF可用于信号隔离、继电器替代等功能，简化电路结构并提升系统的响应速度。 总之，IRF7413TRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多需要高效能、高可靠性的电力传输与控制应用中发挥着重要作用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 13A 11mOhm 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7413TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7413TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7413TRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 18 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 44 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 13 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7413.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7413.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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