ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7413PBF
/IRF7413PBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF7413PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7413PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7413PBF价格参考。International RectifierIRF7413PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 13A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7413PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7413PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7413PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。该器件具有低导通电阻、快速开关速度和高电流处理能力等特点，适用于多种应用场景。 1. 电源管理 IRF7413PBF常用于开关电源（SMPS）的设计中，作为功率级开关元件。它能够高效地控制电压和电流的转换，适用于DC-DC转换器、AC-DC适配器等设备。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源的整体效率。 2. 电机驱动 在电机驱动应用中，IRF7413PBF可以用于控制直流电机或步进电机的启停和转向。通过PWM（脉宽调制）技术，它可以实现对电机速度的精确控制。此外，MOSFET的快速开关特性使其能够在高频工作条件下保持良好的性能，适用于电动工具、家用电器等场合。 3. 电池管理系统 IRF7413PBF可用于电池保护电路中，特别是在锂电池管理系统（BMS）中。它可以作为充放电控制开关，防止过充、过放以及短路等异常情况的发生。其低导通电阻有助于减少电池充放电过程中的能量损失，延长电池寿命。 4. 负载切换 在负载切换应用中，IRF7413PBF可以用作负载开关，控制不同负载之间的切换。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制灯光、雨刷等设备的电源供应。MOSFET的快速响应时间使得它能够在短时间内完成负载的切换，确保系统的稳定性和安全性。 5. 通信设备 IRF7413PBF还适用于通信设备中的信号调理和电源管理模块。例如，在基站、路由器等设备中，它可以用于调节电源电压，确保通信模块的正常工作。此外，MOSFET的低噪声特性也有助于提高通信信号的质量。 总之，IRF7413PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、负载切换及通信设备等多个领域，为各类电力电子系统提供了高效、稳定的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOICMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 11mOhms 44nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 13 A |
| Id-连续漏极电流 | 13 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7413PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7413PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 44 nC |
| Qg-栅极电荷 | 44 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 18 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 18 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 46 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1800pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 79nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 11 毫欧 @ 7.3A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 52 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 95 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7413.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7413.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
