ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7410PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7410PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7410PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7410PBF价格参考。International RectifierIRF7410PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7410PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7410PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| ChannelMode | Enhancement |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 16 A |
| Id-连续漏极电流 | - 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品目录 | 半导体 |
| 描述 | MOSFET 1 P-CH -12V HEXFET 7mOhms 91nC |
| 产品分类 | 分离式半导体 |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7410PBF |
| 产品型号 | IRF7410PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 91 nC |
| Qg-栅极电荷 | 91 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 8 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 8 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 200 ns |
| 产品种类 | MOSFET |
| 典型关闭延迟时间 | 271 ns |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 7 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 91 nC |
| 汲极/源极击穿电压 | - 12 V |
| 漏极连续电流 | - 16 A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 8 V |
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