ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7410GTRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF7410GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7410GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7410GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7410GTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 12V 16A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7410GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7410GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7410GTRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个FET类别。这款MOSFET具有低导通电阻、高开关速度和良好的热性能，适用于多种电力电子应用。 应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：IRF7410GTRPBF可用于降压或升压DC-DC转换器中，作为主开关或同步整流器。其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少传导损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：在需要高效调节电压的应用中，该MOSFET可以用于线性稳压器的输出级，提供稳定的电流输出。 2. 电机驱动： - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电动工具、家用电器和工业自动化设备中，IRF7410GTRPBF可以用于驱动BLDC电机。其快速开关特性有助于实现高效的PWM控制。 - 步进电机驱动：在精密定位系统中，如3D打印机和机器人，该MOSFET可以用于步进电机的驱动电路，确保精确的电流控制和响应速度。 3. 电池管理系统（BMS）： - 电池保护电路：在锂电池和其他可充电电池组中，IRF7410GTRPBF可以用作电池保护开关，防止过充、过放和短路等异常情况。 - 电量监测：通过精确控制电流流动，该MOSFET可以帮助实现准确的电量监测和管理。 4. 消费电子： - 笔记本电脑和智能手机：在便携式设备中，IRF7410GTRPBF可以用于电源管理和充电电路，确保设备在不同工作模式下的稳定供电。 - 音频放大器：在高效能音频设备中，该MOSFET可以用于功率放大器的输出级，提供大电流输出并保持低失真。 5. 汽车电子： - 车载充电器：在电动汽车和混合动力汽车中，IRF7410GTRPBF可以用于车载充电器的功率转换部分，确保高效且可靠的充电过程。 - LED照明：在汽车内部和外部照明系统中，该MOSFET可以用于驱动高亮度LED灯，提供稳定的电流和亮度控制。 总之，IRF7410GTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效能和紧凑设计的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 16A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -12V -16A 7mOhm 91nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 16 A |
| Id-连续漏极电流 | - 16 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7410GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7410GTRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 91 nC |
| Qg-栅极电荷 | 91 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 12 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 12 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 0.9 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 0.9 V |
| 上升时间 | 18 ns |
| 下降时间 | 300 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 8676pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 91nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 7 毫欧 @ 16A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7410GTRPBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 55 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 16A （Ta） |
| 配置 | Single |
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