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Datasheet下载- 型号： IRF7406PBF
- 制造商： International Rectifier
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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IRF7406PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7406PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7406PBF价格参考。International RectifierIRF7406PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7406PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7406PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7406PBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），广泛应用于各种电力电子设备中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRF7406PBF常用于开关电源、DC-DC转换器和线性稳压器中，作为功率开关或同步整流元件。它能够高效地控制电流的通断，降低功耗并提高系统的效率。 2. 电机驱动：在小型电机驱动应用中，如步进电机、直流电机和无刷直流电机，该MOSFET可用于实现高效的PWM（脉宽调制）控制，确保电机平稳运行并减少发热。 3. 电池管理系统：IRF7406PBF适用于锂离子电池组的保护电路，通过快速响应过流、短路等异常情况，保障电池的安全性和寿命。 4. 负载开关：在便携式电子设备中，如智能手机、平板电脑和笔记本电脑，这款MOSFET可以作为负载开关，精确控制不同功能模块的供电状态，延长电池续航时间。 5. LED照明：在LED驱动电路中，IRF7406PBF能够提供稳定的电流输出，确保LED灯的亮度一致，并支持调光功能，提升用户体验。 6. 信号切换：由于其低导通电阻特性，IRF7406PBF也适合用于高速信号切换电路，例如音频放大器中的输入选择开关或数据通信接口的隔离。 7. 汽车电子：在汽车行业中，这款MOSFET可用于车身控制模块（BCM）、电动助力转向系统（EPS）以及车载充电器等领域，满足严格的可靠性要求。 总之，IRF7406PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在众多领域展现出广泛的应用潜力。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| Ciss-输入电容 | 1.1 nF |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 5.8A 8-SOICMOSFET 1 P-CH -30V HEXFET 45mOhms 39.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7406PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7406PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 39.3 nC |
| Qg-栅极电荷 | 59 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 70 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 70 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 45 ns |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 70 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 39.3 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 正向跨导-最小值 | 3.1 S |
| 汲极/源极击穿电压 | - 30 V |
| 漏极连续电流 | - 5.8 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7406.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7406.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain Triple Source |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
