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  • 型号: IRF7406GTRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7406GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7406GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7406GTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7406GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7406GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 5.8 A

Id-连续漏极电流

- 5.8 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7406GTRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7406GTRPBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

59 nC

Qg-栅极电荷

59 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

45 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

45 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 30 V

Vds-漏源极击穿电压

- 30 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 1 V

上升时间

33 ns

下降时间

47 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1100pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

59nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

45 毫欧 @ 2.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7406GTRPBFCT

功率-最大值

2.5W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

3.1 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

5.8A (Ta)

配置

Single

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