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Datasheet下载- 型号： IRF7406GTRPBF
- 制造商： International Rectifier
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7406GTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7406GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7406GTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 30V 5.8A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7406GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7406GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies 的 IRF7406GTRPBF 是一款 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），属于单个 FET 类别。该型号具有低导通电阻和高开关速度，适用于多种应用场景，特别是在需要高效能和可靠性的电路中。 主要应用场景： 1. 电源管理： - DC-DC转换器：IRF7406GTRPBF 可用于降压或升压 DC-DC 转换器，提供高效的电压调节。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高转换效率。 - 线性稳压器：作为线性稳压器中的开关元件，能够实现稳定的输出电压。 2. 电机控制： - 无刷直流电机 (BLDC)：在电机驱动电路中，MOSFET 用于控制电机的相位和速度。IRF7406GTRPBF 的快速开关特性使得它适合用于高频PWM（脉宽调制）控制，从而实现精确的速度和位置控制。 - 步进电机驱动：用于步进电机的电流控制，确保电机平稳运行并减少振动。 3. 电池管理系统 (BMS)： - 电池保护电路：在锂电池等电池管理系统中，MOSFET 用作充放电路径的开关，防止过充、过放和短路等异常情况。 - 电量监测：通过控制充电和放电回路，确保电池在安全范围内工作。 4. 负载切换： - 热插拔保护：在服务器和通信设备中，用于实现热插拔功能，保护系统免受瞬态电压冲击。 - 电源切换：在多电源系统中，用于无缝切换主电源和备用电源，确保系统的持续供电。 5. 音频放大器： - D类放大器：在D类音频放大器中，MOSFET 作为开关元件，通过高速开关实现高效的音频信号放大，同时降低热量产生。 6. LED驱动： - 大功率LED照明：用于控制LED的亮度和颜色变化，尤其是在需要高精度电流调节的应用中。 总结： IRF7406GTRPBF 具有广泛的应用场景，特别适用于需要高效能、低功耗和高可靠性的电子设备。无论是电源管理、电机控制还是电池管理系统，它都能提供出色的性能表现。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.8 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.8 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7406GTRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7406GTRPBF |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 59 nC |
| Qg-栅极电荷 | 59 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
| 上升时间 | 33 ns |
| 下降时间 | 47 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 45 毫欧 @ 2.8A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7406GTRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 3.1 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.8A （Ta） |
| 配置 | Single |
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