ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > IRF7406GTRPBF
数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
+xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7406GTRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7406GTRPBF价格参考。International RectifierIRF7406GTRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 30V 5.8A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7406GTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7406GTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 30V 6.7A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh -30V -5.8A 45mOhm 39.3nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.8 A |
Id-连续漏极电流 | - 5.8 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7406GTRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7406GTRPBF |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
Pd-功率耗散 | 2.5 W |
Qg-GateCharge | 59 nC |
Qg-栅极电荷 | 59 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 45 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 45 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 30 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | - 1 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | - 1 V |
上升时间 | 33 ns |
下降时间 | 47 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1100pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 59nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 45 毫欧 @ 2.8A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7406GTRPBFCT |
功率-最大值 | 2.5W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 3.1 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 5.8A (Ta) |
配置 | Single |