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  • 型号: IRF7404PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7404PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7404PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7404PBF价格参考。International RectifierIRF7404PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 6.7A(Ta) 2.5W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7404PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7404PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 40mOhms 33.3nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 6.7 A

Id-连续漏极电流

- 6.7 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7404PBFHEXFET®

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产品型号

IRF7404PBF

Pd-PowerDissipation

2.5 W

Pd-功率耗散

2.5 W

Qg-GateCharge

33.3 nC

Qg-栅极电荷

33.3 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

40 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

40 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

上升时间

32 ns

下降时间

65 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

50nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

40 毫欧 @ 3.2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

100 ns

功率-最大值

2.5W

功率耗散

2.5 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

40 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

33.3 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 6.7 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.7A (Ta)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7404.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7404.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Quad Drain Triple Source

闸/源击穿电压

12 V

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