ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > IRF7403TRPBF
Datasheet下载- 型号： IRF7403TRPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7403TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7403TRPBF价格参考。International RectifierIRF7403TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 30V 8.5A（Ta） 2.5W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7403TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7403TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7403TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单一类别。以下是该型号的应用场景： 1. 电源管理 - 开关电源（SMPS）：IRF7403TRPBF适用于各种开关电源设计，如AC-DC或DC-DC转换器。其低导通电阻和高切换速度有助于提高效率并减少能量损耗。 - 电压调节模块（VRM）：用于计算机主板、显卡等设备中的电压调节，提供稳定的电流输出。 2. 电机驱动 - 直流电机控制：在小型家电、电动工具和工业自动化中，可用于驱动直流电机，实现启停、调速和方向控制。 - H桥电路：在机器人、无人机等领域，作为H桥的一部分，用于双向控制电机运行。 3. 负载开关 - 电子设备保护：用作负载开关，为电子设备提供过流保护、短路保护等功能，确保系统安全运行。 - 电池管理系统（BMS）：在电池供电设备中，控制电池充放电过程，防止过充或过放。 4. 信号放大与传输 - 音频放大器：在低功率音频设备中，可作为信号放大的关键元件，提供更高的增益和更低的失真。 - 数据通信：在某些高速通信接口中，用于信号的快速切换和传输。 5. 汽车电子 - 车载电子设备：应用于车窗升降、座椅调节、雨刷控制等需要低功耗和高可靠性的场合。 - LED驱动：为汽车照明系统（如LED大灯、尾灯）提供高效驱动支持。 6. 其他应用 - 太阳能逆变器：在小型光伏系统中，用于能量转换和管理。 - 脉宽调制（PWM）控制器：广泛应用于灯光调光、风扇调速等场景，实现精确的功率控制。 IRF7403TRPBF凭借其出色的电气性能和可靠性，适合多种中低功率应用场景，尤其在需要高效能、低功耗的场合表现出色。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 8.5A 8-SOICMOSFET MOSFT 30V 8.5A 22mOhm 38nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 8.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 8.5 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7403TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7403TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2.5 W |
| Pd-功率耗散 | 2.5 W |
| Qg-GateCharge | 38 nC |
| Qg-栅极电荷 | 38 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 35 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 35 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1200pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 22 毫欧 @ 4A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | *IRF7403TRPBF |
| 功率-最大值 | 2.5W |
| 功率耗散 | 2.5 W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 35 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 38 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 8.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 8.5A （Ta） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7403.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7403.spi |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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