【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_IRF7380PBF】封装/厂家_IRF7380PBF中文资料_价格

ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7380PBF

图片仅供参考

详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7380PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

查看当月历史价格

查看今年历史价格

产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7380PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7380PBF价格参考。International RectifierIRF7380PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 80V 3.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7380PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7380PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的IRF7380PBF是一款双通道N沟道增强型MOSFET阵列。这款器件在多个应用场景中表现出色，尤其适用于需要高效、可靠和紧凑设计的电子系统。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - DC-DC转换器：IRF7380PBF可用于降压或升压DC-DC转换器，其低导通电阻（Rds(on)）有助于减少功率损耗，提高转换效率。
   - 开关电源（SMPS）：该器件能够承受高频率开关操作，适用于各种开关电源设计，确保稳定性和高效能。

2. 电机控制：
   - 无刷直流电机（BLDC）驱动：在电机控制应用中，IRF7380PBF可以作为H桥或半桥配置中的开关元件，实现精确的速度和位置控制。
   - 步进电机驱动：用于步进电机驱动器，提供高效的电流切换，支持多种运动控制方案。

3. 消费电子产品：
   - 笔记本电脑和平板电脑：用于内部电源管理和电池充电电路，确保设备的高效运行和长续航时间。
   - 智能手机和其他便携式设备：作为负载开关或电源路径管理的一部分，提升设备的性能和用户体验。

4. 工业自动化：
   - 可编程逻辑控制器（PLC）：在工业控制系统中，IRF7380PBF可用于信号隔离和接口保护，确保系统的稳定性和安全性。
   - 传感器接口：用于各种传感器的信号调理和驱动，例如温度、压力和位移传感器。

5. 汽车电子：
   - 车身控制模块（BCM）：在汽车电子系统中，如车窗升降、座椅调节等，IRF7380PBF可以提供可靠的驱动能力。
   - LED照明：用于汽车内外部LED灯的驱动电路，确保亮度调节和稳定性。

6. 通信设备：
   - 基站和路由器：在通信基础设施中，IRF7380PBF可用于电源管理和信号处理，保证设备的高效运行和可靠性。

总之，IRF7380PBF凭借其优异的电气特性、紧凑的封装和广泛的工作温度范围，成为众多高性能应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICMOSFET 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	3.6 A
Id-连续漏极电流	3.6 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7380PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7380PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	15 nC
Qg-栅极电荷	15 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	73 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	73 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	80 V
Vds-漏源极击穿电压	80 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	10 ns
下降时间	17 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	660pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	23nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	73 毫欧 @ 2.2A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF7380PBF
典型关闭延迟时间	41 ns
功率-最大值	2W
功率耗散	2 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	73 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	15 nC
标准包装	95
汲极/源极击穿电压	80 V
漏极连续电流	3.6 A
漏源极电压(Vdss)	80V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.6A
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7380.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7380.spi
通道模式	Enhancement
配置	Dual
闸/源击穿电压	20 V