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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7380PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7380PBF价格参考。International RectifierIRF7380PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 80V 3.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7380PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7380PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7380PBF是一种N沟道功率MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于各种电力电子设备中。它具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,使其在高效能电源管理应用中表现出色。 应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRF7380PBF常用于开关电源的设计中,作为主开关器件或同步整流器。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高电源转换效率。适用于笔记本电脑适配器、手机充电器等消费电子产品中的电源模块。 2. 直流电机驱动: 在直流电机驱动电路中,IRF7380PBF可以用作H桥电路的开关元件,控制电机的正反转和速度调节。其快速开关特性能够有效降低开关损耗,提高系统的响应速度和稳定性。 3. LED驱动器: 用于LED照明系统中,IRF7380PBF可以实现高效的电流控制,确保LED灯的亮度稳定。特别是在大功率LED灯具中,其低功耗和高可靠性使得灯具更加节能和耐用。 4. 电池管理系统(BMS): 在锂电池保护板和其他电池管理系统中,IRF7380PBF可用于过流保护、短路保护等功能。通过快速切断电流路径,防止电池过充或过放,延长电池寿命并提高安全性。 5. 逆变器和变频器: 在太阳能逆变器和工业变频器中,IRF7380PBF作为功率开关元件,参与逆变和变频过程。其优异的开关特性和热性能有助于提高系统的整体效率和可靠性。 6. 汽车电子: 在汽车电子领域,IRF7380PBF可用于车身控制模块、电动助力转向系统(EPS)、车载充电器等应用中。其耐高温和抗干扰能力强,适合汽车环境下的严苛要求。 总之,IRF7380PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOICMOSFET 80V DUAL N-CH HEXFET 73mOhm VGS 10V |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 N 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | 3.6 A |
Id-连续漏极电流 | 3.6 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7380PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7380PBF |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 15 nC |
Qg-栅极电荷 | 15 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 73 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 73 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 10 ns |
下降时间 | 17 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 660pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 23nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 73 毫欧 @ 2.2A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7380PBF |
典型关闭延迟时间 | 41 ns |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | 管件 |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 73 mOhms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 95 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
栅极电荷Qg | 15 nC |
标准包装 | 95 |
汲极/源极击穿电压 | 80 V |
漏极连续电流 | 3.6 A |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 3.6A |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7380.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7380.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 20 V |