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  • 型号: IRF7353D1PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7353D1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7353D1PBF价格参考。International RectifierIRF7353D1PBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7353D1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7353D1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 32mOhms 22nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

International Rectifier

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rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7353D1PBFFETKY™

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产品型号

IRF7353D1PBF

PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

46 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

46 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1 V

上升时间

8.9 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

32 毫欧 @ 5.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

2W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

46 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

95

正向跨导-最小值

14 S

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

6.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain

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