【晶体管 - FET，MOSFET - 阵列_IRF7343QTRPBF】封装/厂家_IRF7343QTRPBF中文资料_价格

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型号： IRF7343QTRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7343QTRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7343QTRPBF价格参考。International RectifierIRF7343QTRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， N 和 P 沟道 Mosfet 阵列 55V 4.7A，3.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7343QTRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7343QTRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7343QTRPBF是一款双通道N沟道MOSFET阵列，适用于多种电力电子应用场景。该器件由两个独立的N沟道MOSFET组成，每个MOSFET具有较低的导通电阻（Rds(on)），能够高效地进行开关操作，适合用于需要高效率和低损耗的应用。

 应用场景：

1. 电源管理：
   - IRF7343QTRPBF广泛应用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率。
   - 在电池管理系统中，该器件可用于控制电池充放电回路，确保电流在安全范围内流动。

2. 电机驱动：
   - 该MOSFET阵列适用于小型电机驱动电路，如步进电机、直流无刷电机等。它能够快速响应PWM信号，实现精确的速度和位置控制。
   - 在电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）中，IRF7343QTRPBF可以作为电机驱动的核心元件，提供高效的开关性能。

3. 负载切换与保护：
   - 在智能家电、工业控制系统中，该器件可用于负载切换，实现对不同负载的快速通断控制。
   - 它还可以用于过流保护电路，当检测到异常电流时迅速切断电路，保护下游设备免受损坏。

4. 通信设备：
   - 在通信基站、路由器等设备中，IRF7343QTRPBF可用于电源模块中的开关控制，确保稳定的供电并减少能量损失。
   - 其紧凑的封装形式使其非常适合空间受限的应用场合。

5. 消费电子：
   - 在智能手机、平板电脑等便携式设备中，该MOSFET阵列可用于USB充电接口的保护和管理，防止过压、过流等问题。
   - 它还适用于音频放大器等电路中，提供高效且稳定的电流输出。

总之，IRF7343QTRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性，成为众多电力电子应用的理想选择。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
产品分类	FET - 阵列
FET功能	标准
FET类型	N 和 P 沟道
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF7343QTRPBF
rohs	无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	HEXFET®
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	740pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	36nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	50 毫欧 @ 4.7A，10V
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRF7343QTRPBFDKR
功率-最大值	2W
包装	Digi-Reel®
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	55V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	4.7A，3.4A