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  • 型号: IRF7342PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7342PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7342PBF价格参考。International RectifierIRF7342PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 55V 3.4A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7342PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7342PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOICMOSFET DUAL -55V P-CH 20V VGS 55V BVDSS

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.4 A

Id-连续漏极电流

- 3.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7342PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7342PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

105 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

105 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 55 V

Vds-漏源极击穿电压

- 55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

10 ns

下降时间

22 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

690pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 3.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

43 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

105 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

26 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

- 55 V

漏极连续电流

- 3.4 A

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7342.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7342.spi

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

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