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  • 型号: IRF7342D2PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7342D2PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7342D2PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7342D2PBF价格参考。International RectifierIRF7342D2PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 55V 3.4A(Ta) 2W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7342D2PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7342D2PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7342D2PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET类别。它具有低导通电阻和快速开关特性,适用于多种电源管理和信号切换应用。

 应用场景:

1. 电源管理:
   - DC-DC转换器:在降压或升压转换器中,IRF7342D2PBF可以作为主开关管,用于高效地控制电压转换。其低导通电阻(Rds(on))有助于减少传导损耗,提高转换效率。
   - 线性稳压器:在低压差线性稳压器(LDO)中,该MOSFET可以用作功率开关,帮助调节输出电压并保持稳定。

2. 电机驱动:
   - 无刷直流电机(BLDC):在BLDC电机驱动电路中,IRF7342D2PBF可以用于逆变器桥臂,实现对电机相电流的精确控制。其快速开关速度有助于降低开关损耗,提高电机效率。
   - 步进电机驱动:在步进电机驱动电路中,该MOSFET可以用于控制绕组电流,确保电机平稳运行。

3. 电池管理系统(BMS):
   - 电池保护电路:在锂电池或其他类型的电池保护电路中,IRF7342D2PBF可以用作充放电控制开关,防止过充、过放和短路等异常情况,保护电池安全。
   - 电量监测:在电量监测电路中,该MOSFET可以用于电流采样和负载切换,帮助准确测量电池剩余电量。

4. 消费电子设备:
   - 智能手机和平板电脑:在这些便携式设备中,IRF7342D2PBF可以用于电源管理单元(PMU)中的各种开关功能,如USB充电控制、背光驱动等。
   - 笔记本电脑和台式机:在计算机电源供应系统中,该MOSFET可以用于辅助电源、风扇控制和其他外设接口的电源管理。

5. 工业自动化:
   - 可编程逻辑控制器(PLC):在PLC的输入输出模块中,IRF7342D2PBF可以用于信号隔离和负载驱动,确保系统的可靠性和稳定性。
   - 传感器接口:在工业传感器接口电路中,该MOSFET可以用于信号放大和传输,确保信号的完整性和准确性。

总之,IRF7342D2PBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种需要高效电源管理和信号切换的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET P-CH 55V 3.4A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -3.4A 105mOhm 26nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

二极管(隔离式)

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 3.4 A

Id-连续漏极电流

- 3.4 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7342D2PBFFETKY™

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7342D2PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

26 nC

Qg-栅极电荷

26 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

170 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

170 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 55 V

Vds-漏源极击穿电压

- 55 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

690pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

38nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

105 毫欧 @ 3.4A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

*IRF7342D2PBF

功率-最大值

2W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

P-Channel

标准包装

95

漏源极电压(Vdss)

55V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3.4A (Ta)

配置

Single with Schottky Diode

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