PD -95199 IRF7341PbF HEXFET® Power MOSFET (cid:1) Generation V Technology (cid:1) Ultra Low On-Resistance (cid:1) Dual N-Channel Mosfet S1 1 8 D1 (cid:1) Surface Mount G1 2 7 D1 VDSS = 55V (cid:1) Available in Tape & Reel (cid:1) Dynamic dv/dt Rating S2 3 6 D2 (cid:1) Fast Switching G2 4 5 D2 R = 0.050Ω DS(on) (cid:1) Lead-Free Top View Description Fifth Generation HEXFETs from International Rectifier utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. This benefit, combined with the fast switching speed and ruggedized device design that HEXFET Power MOSFETs are well known for, provides the designer with an extremely efficient and reliable device for use in a wide variety of applications. The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics and SO-8 multiple-die capability making it ideal in a variety of power applications. With these improvements, multiple devices can be used in an application with dramatically reduced board space. The package is designed for vapor phase, infra red, or wave soldering techniques. Power dissipation of greater than 0.8W is possible in a typical PCB mount application. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units VDS Drain- Source Voltage 55 V I @ T = 25°C Continuous Drain Current, V @ 10V 4.7 D C GS I @ T = 70°C Continuous Drain Current, V @ 10V 3.8 A D C GS I Pulsed Drain Current (cid:2) 38 DM P @T = 25°C Power Dissipation 2.0 D C (cid:6) P @T = 70°C Power Dissipation 1.3 D C Linear Derating Factor 0.016 W/°C V Gate-to-Source Voltage ± 20 V GS V Gate-to-Source Voltage Single Pulse tp<10µs 30 V GSM E Single Pulse Avalanche Energy(cid:3) 72 AS dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:4) 5.0 V/ns TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to + 150 °C Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJA Maximum Junction-to-Ambient(cid:1) ––– 62.5 °C/W www.irf.com 1 (cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)

IRF7341PbF Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage 55 ––– ––– V VGS = 0V, ID = 250µA ∆V(BR)DSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 0.059 ––– V/°C Reference to 25°C, ID = 1mA (cid:11) (cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:13)(cid:15)(cid:16)(cid:7)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:15)(cid:19)(cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:16)(cid:23)(cid:7)(cid:24)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:23)(cid:25)(cid:15)(cid:25)(cid:13)(cid:14)(cid:19)(cid:16)(cid:23) ––– 0.0430.050 VGS = 10V, ID = 4.7A(cid:7)(cid:5) (cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) ––– 0.0560.065 Ω VGS = 4.5V, ID = 3.8A(cid:7)(cid:5) VGS(th) Gate Threshold Voltage 1.0 ––– ––– V VDS = VGS, ID = 250µA gfs Forward Transconductance 7.9 ––– ––– S VDS = 10V, ID = 4.5A (cid:8)(cid:3)(cid:2)(cid:2) (cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:15)(cid:19)(cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:12)(cid:21)(cid:22)(cid:18)(cid:16)(cid:23)(cid:7)(cid:26)(cid:23)(cid:14)(cid:27)(cid:14)(cid:28)(cid:23)(cid:7)(cid:29)(cid:22)(cid:18)(cid:18)(cid:23)(cid:19)(cid:13) ––– ––– 2.0 (cid:9)(cid:10) VDS = 55V, VGS = 0V ––– ––– 25 VDS = 55V, VGS = 0V, TJ = 55°C (cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:2) Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– -100 (cid:19)(cid:10) VGS = -20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– 100 VGS = 20V Qg Total Gate Charge ––– 24 36 ID = 4.5A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 2.3 3.4 nC VDS = 44V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 7.0 10 VGS = 10V, See Fig. 10 (cid:5) td(on) Turn-On Delay Time ––– 8.3 12 VDD = 28V tr Rise Time ––– 3.2 4.8 (cid:19)(cid:25) ID = 1.0A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 32 48 RG = 6.0Ω tf Fall Time ––– 13 20 RD = 16Ω, (cid:5) Ciss Input Capacitance ––– 740 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 190 ––– pF VDS = 25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 71 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig. 9 Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current (cid:30)(cid:30)(cid:30) (cid:30)(cid:30)(cid:30) !"(cid:4) MOSFET symbol D (Body Diode) showing the (cid:10) ISM Pulsed Source Current (cid:30)(cid:30)(cid:30) (cid:30)(cid:30)(cid:30) (cid:31) integral reverse G (Body Diode) (cid:2) p-n junction diode. S VSD Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V TJ = 25°C, IS = 2.0A, VGS = 0V (cid:4) trr Reverse Recovery Time ––– 60 90 ns TJ = 25°C, IF = 2.0A Qrr Reverse RecoveryCharge ––– 120 170 nC di/dt = -100A/µs (cid:4) Notes: (cid:2)(cid:7)Repetitive rating; pulse width limited by (cid:3)ISD ≤(cid:7)4.7A, di/dt(cid:7)≤ 220A/µs, VDD(cid:8)≤(cid:7)V(BR)DSS, max. junction temperature. ( See fig. 11 ) TJ(cid:8)≤ 150°C (cid:4) Starting TJ = 25°C, L = 6.5mH (cid:5) Pulse width ≤ 300µs; duty cycle ≤(cid:7)2%. RG = 25Ω, IAS = 4.7A. (See Figure 8) (cid:1) When mounted on 1 inch square copper board, t<10 sec 2 www.irf.com

IRF7341PbF 100 100 VGS VGS TOP 15V TOP 15V 12V 12V A) 180.0VV A) 180.0VV nt ( 64(cid:1)..(cid:2)00(cid:3)VV(cid:4) nt ( 64(cid:1)..(cid:2)00(cid:3)VV(cid:4) e 3.5V e 3.5V urr BOTTOM3.0V urr BOTTOM3.0V C C e e c c ur ur o 10 o 10 S S n-to- 3.0V n-to- 3.0V ai ai Dr Dr I , D I , D 20µs PULSE WIDTH 20µs PULSE WIDTH TJ = 25°C TJ = 150°C 1 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:4)(cid:18)(cid:16)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:16)(cid:13)(cid:9)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:16)(cid:4)(cid:18)(cid:16)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:16)(cid:13)(cid:9)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:11) 100 100 ent (A) TJ = 25 ° C nt (A) ce Curr TJ = 150 ° C n Curre 10 TJ = 150 ° C ur ai n-to-So 10 erse Dr TJ = 25 ° C ai ev 1 Dr R I , D I , SD V D S = 25V 20µs PULSE WIDTH V G S = 0 V 1 0.1 3 4 5 6 0.2 0.5 0.8 1.1 1.4 VG S , Gate-to-Source Voltage (V) VS D ,Source-to-Drain Voltage (V) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:2)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:7)(cid:6)(cid:16)(cid:13)(cid:9)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:5)(cid:6)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:21)(cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:1)(cid:22)(cid:5)(cid:20)(cid:23)(cid:13) (cid:24)(cid:20)(cid:9)(cid:25)(cid:7)(cid:9)(cid:23)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:16)(cid:7)(cid:27)(cid:13) www.irf.com 3

IRF7341PbF e 2.5 ID=4.7A $Ω 0.120 c (cid:7)# n e a c Resist 2.0 sistan 0.100 n Re e Oed) 1.5 On Sourcmaliz urce 0.080 n-to-(Nor 1.0 o-So VGS = 4.5V R , DraiDS(on) 00..05-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100V1G2S0=11400V160 R , Drain-tDS (on)00..0046000 10 20 VGS =30 10V 40 TJ , Junction Temperature( ° C) I D , Drain Current (A) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:10)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:28)(cid:20)(cid:9)(cid:29)(cid:7)(cid:8)(cid:5)(cid:30)(cid:13)(cid:23)(cid:1)(cid:17)(cid:10)(cid:21)(cid:31)(cid:13)(cid:11)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:13) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:12)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:17)(cid:10)(cid:21)(cid:31)(cid:13)(cid:11)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:11) (cid:1)(cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:5)(cid:10) (cid:26)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:13)(cid:29)(cid:4)(cid:13)(cid:9)(cid:7)(cid:16)(cid:18)(cid:9)(cid:13) (cid:14)(cid:18)(cid:9)(cid:9)(cid:13)(cid:10)(cid:16) 0.12 200 (cid:19)(cid:16)(cid:23) ( Ω ) gy (mJ) 160 TBOOPTTOM 234ID...187AAA (cid:25)(cid:13)(cid:14) 0.10 ner (cid:25)(cid:15) E (cid:11)(cid:23) e (cid:19)(cid:7) ch 120 (cid:24) n (cid:16)(cid:23)(cid:7) 0.08 ala (cid:22)(cid:18) Av (cid:12)(cid:21) e 80 (cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:15)(cid:19)(cid:20)(cid:13)(cid:21)(cid:20) 0.06 I D = 4.7A(cid:31) gle Puls (cid:11)(cid:7)%(cid:7)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) E , SinAS 40 0.04 A 0 0 2 4 6 8 10 25 50 75 100 125 150 Starting T , Junction Temperature ( ° C) V , Gate-to-Source Voltage (V) J GS (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:17)(cid:10)(cid:21)(cid:31)(cid:13)(cid:11)(cid:5)(cid:11)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:11) (cid:1)&(cid:7)(cid:16)(cid:13) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:11)(cid:6)(cid:1)(cid:1)!(cid:7)"(cid:5)(cid:29)(cid:18)(cid:29)(cid:1)#$(cid:7)(cid:8)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:15)(cid:13)(cid:1)%(cid:10)(cid:13)(cid:9)(cid:27)(cid:3) (cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:16)(cid:7)(cid:27)(cid:13) (cid:26)(cid:11) (cid:1)(cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:1)(cid:14)(cid:18)(cid:9)(cid:9)(cid:13)(cid:10)(cid:16) 4 www.irf.com

IRF7341PbF 1200 20 VGS=0V, f = 1MHz ID=4.5A 1000 CCCirossssss===CCCggdsds ++ CCggdd , Cd s SHORTED ge (V) 16 VVVDDDSSS=== 134208VVV ance (pF) 800 Ciss urce Volta 12 pacit 600 o-So Ca e-t 8 C, 400 Gat 200 Coss V , GS 4 Crss 0 0 1 10 100 0 10 20 30 40 VD S , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:15)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)(cid:14)(cid:7)(cid:4)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:16)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:11) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:14)(cid:6)(cid:1)(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:1)&(cid:7)(cid:16)(cid:13)(cid:1)(cid:14)(cid:15)(cid:7)(cid:9)(cid:27)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:11) (cid:22)(cid:9)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:21)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:16)(cid:7)(cid:27)(cid:13) &(cid:7)(cid:16)(cid:13)(cid:21)(cid:16)(cid:20)(cid:21)(cid:19)(cid:20)(cid:18)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:1)(cid:26)(cid:20)(cid:8)(cid:16)(cid:7)(cid:27)(cid:13) 100 ) D = 0.50 Z thJA 0.20 ( 10 e 0.10 s n o 0.05 p s e mal R 1 00..0012 PDM t1 er SINGLE PULSE Th (THERMAL RESPONSE) t2 Notes: 1. Duty factor D = t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJA+ TA 0.1 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:8)(cid:8)(cid:6)(cid:1)(cid:1)!(cid:7)"(cid:5)(cid:29)(cid:18)(cid:29)(cid:1)%(cid:12)(cid:12)(cid:13)(cid:6)(cid:16)(cid:5)$(cid:13)(cid:1)(cid:2)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:13)(cid:10)(cid:16)(cid:1)(cid:2)(cid:15)(cid:13)(cid:9)(cid:29)(cid:7)(cid:8)(cid:1)’(cid:29)(cid:4)(cid:13)(cid:23)(cid:7)(cid:10)(cid:6)(cid:13)((cid:1))(cid:18)(cid:10)(cid:6)(cid:16)(cid:5)(cid:20)(cid:10)(cid:21)(cid:16)(cid:20)(cid:21)#(cid:29)*(cid:5)(cid:13)(cid:10)(cid:16) www.irf.com 5

IRF7341PbF SO-8 Package Outline Dimensions are shown in milimeters (inches) INCHES MILLIMETERS DIM D B MIN MAX MIN MAX A 5 θ A .0532 .0688 1.35 1.75 A1 .0040 .0098 0.10 0.25 b .013 .020 0.33 0.51 8 7 6 5 c .0075 .0098 0.19 0.25 6 H D .189 .1968 4.80 5.00 E 0.25 [.010] A E .1497 .1574 3.80 4.00 1 2 3 4 e .050 BASIC 1.27 BASIC e1 .025 BASIC 0.635 BASIC H .2284 .2440 5.80 6.20 6X e K .0099 .0196 0.25 0.50 L .016 .050 0.40 1.27 y 0° 8° 0° 8° e1 K x 45° A C y 0.10 [.004] 8X b A1 8X L 8X c 0.25 [.010] C A B 7 FOOTPRINT NOTES: 1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994. 8X 0.72 [.028] 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER 3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES]. 4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA. 5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006]. 6.46 [.255] 6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010]. 7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE. 3X 1.27 [.050] 8X 1.78 [.070] SO-8 Part Marking Information (Lead-Free) EXAMPLE: THIS IS AN IRF7101 (MOSFET) DATE CODE (YWW) P = DESIGNATES LEAD-FREE PRODUCT (OPTIONAL) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR XXXX WW = WEEK INTERNATIONAL F7101 A = ASSEMBLY SITE CODE RECTIFIER LOT CODE LOGO PART NUMBER 6 www.irf.com

IRF7341PbF SO-8 Tape and Reel Dimensions are shown in milimeters (inches) TERMINAL NUMBER 1 12.3 ( .484 ) 11.7 ( .461 ) 8.1 ( .318 ) 7.9 ( .312 ) FEED DIRECTION NOTES: 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 330.00 (12.992) MAX. 14.40 ( .566 ) 12.40 ( .488 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualifications Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.11/04 www.irf.com 7

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF7341PBF IRF7341TRPBF