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  • 型号: IRF7329TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7329TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7329TRPBF价格参考¥3.11-¥7.29。International RectifierIRF7329TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7329TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7329TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -12V 9.2A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 9.2 A

Id-连续漏极电流

- 9.2 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7329TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7329TRPBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

57 nC

Qg-栅极电荷

57 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

17 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

17 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 12 V

Vds-漏源极击穿电压

- 12 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 0.9 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 0.9 V

上升时间

8.6 ns

下降时间

260 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

900mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

3450pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

57nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

17 毫欧 @ 9.2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7329PBFDKR

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

Digi-Reel®

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

17 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

栅极电荷Qg

57 nC

标准包装

1

正向跨导-最小值

25 S

汲极/源极击穿电压

- 12 V

漏极连续电流

- 9.2 A

漏源极电压(Vdss)

12V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

9.2A

配置

Dual

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