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型号： IRF7324PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7324PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7324PBF价格参考。International RectifierIRF7324PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 9A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7324PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7324PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7324PBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的晶体管阵列，具体为双N沟道MOSFET。这种器件具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种应用场景。

 主要应用场景：

1. 电源管理：
   IRF7324PBF常用于电源管理系统中，如DC-DC转换器、线性稳压器等。其低导通电阻（Rds(on)）特性可以有效降低功率损耗，提高电源转换效率。在笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式设备中，该器件能够帮助实现高效的电源管理，延长电池寿命。

2. 电机控制：
   在电机驱动电路中，IRF7324PBF可以用于H桥或半桥配置，以控制直流电机或步进电机的正反转和速度。其快速开关特性和低损耗使得它非常适合于小型电机的应用，如电动工具、家用电器和汽车电子中的风扇、泵等。

3. 负载切换：
   该器件也广泛应用于负载切换电路中，例如USB端口保护、电池充电电路中的负载开关等。通过精确控制电流路径，IRF7324PBF可以在需要时迅速切断或接通负载，确保系统的安全性和稳定性。

4. 信号调理：
   在某些模拟信号处理电路中，IRF7324PBF可以用作开关元件，用于选择不同的信号路径或进行信号隔离。其低电容特性有助于减少信号失真，保持信号完整性。

5. 通信设备：
   在通信设备中，IRF7324PBF可用于射频前端模块中的功率放大器偏置控制、天线开关等功能。其紧凑的封装形式使其适合集成到小型化、高性能的通信模块中。

6. 汽车电子：
   在汽车电子系统中，IRF7324PBF可用于车身控制模块、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）等应用。其优异的温度特性和可靠性使其能够在严苛的车载环境中稳定工作。

总之，IRF7324PBF凭借其优异的电气性能和可靠性，在多个领域中发挥着重要作用，特别是在需要高效、紧凑和可靠解决方案的应用场景中。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2P-CH 20V 9A 8-SOICMOSFET DUAL -20V P-CH 12 VGS MAX
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	- 9 A
Id-连续漏极电流	- 9 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7324PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7324PBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	42 nC
Qg-栅极电荷	42 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	18 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	18 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 20 V
Vds-漏源极击穿电压	- 20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
上升时间	36 ns
下降时间	190 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2940pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	63nC @ 5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	18 毫欧 @ 9A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF7324PBF
典型关闭延迟时间	170 ns
功率-最大值	2W
功率耗散	2 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	18 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	42 nC
标准包装	95
汲极/源极击穿电压	- 20 V
漏极连续电流	- 9 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	9A
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7324.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7324.spi
通道模式	Enhancement
配置	Dual
闸/源击穿电压	12 V