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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7324D1TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7324D1TRPBF价格参考。International RectifierIRF7324D1TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 2.2A(Ta) 2W(Ta) 8-SO。您可以下载IRF7324D1TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7324D1TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7324D1TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),属于单个FET器件。它广泛应用于多种电力电子设备中,尤其适用于需要高效、低损耗和快速开关特性的场合。 应用场景: 1. 电源管理: - IRF7324D1TRPBF常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等电源管理系统中。其低导通电阻(Rds(on))特性可以显著降低传导损耗,提高整体效率。此外,快速的开关速度有助于减少开关损耗,提升系统的功率密度。 2. 电机驱动: - 在电动工具、家用电器以及工业自动化设备中的电机驱动电路中,该MOSFET能够提供高效的电流控制。其出色的热性能和耐用性确保了在高负载条件下的稳定运行。 3. 电池管理: - 用于锂电池保护板、不间断电源(UPS)等电池管理系统中,IRF7324D1TRPBF可以实现精确的充放电控制,防止过充、过放及短路等问题,保障电池的安全与寿命。 4. 消费电子: - 在智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备中,这款MOSFET可用于负载开关、背光驱动等场景,以实现快速响应和节能效果。 5. 通信设备: - 在基站、路由器等通信设备中,IRF7324D1TRPBF可作为功率级元件,支持高效的数据传输和信号处理,同时保持较低的功耗。 6. 汽车电子: - 在电动汽车(EV)、混合动力汽车(HEV)及其他车载系统中,该MOSFET可用于逆变器、DC-DC转换器等关键组件,满足汽车级应用对可靠性和安全性的严格要求。 总之,IRF7324D1TRPBF凭借其优异的电气特性,在众多领域展现了广泛的应用潜力,特别是在追求高效能、小尺寸和高可靠性设计的场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOICMOSFET MOSFT PCh w/Schttky -2.2A 270mOhm 5.2nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 二极管(隔离式) |
FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.2 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.2 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7324D1TRPBFFETKY™ |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7324D1TRPBF |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 5.2 nC |
Qg-栅极电荷 | 5.2 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 270 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 270 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 700mV @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 260pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.8nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 270 毫欧 @ 1.2A,4.5V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | *IRF7324D1TRPBF |
功率-最大值 | 2W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.2A (Ta) |
配置 | Single with Schottky Diode |