【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF7324D1TR】封装/厂家_IRF7324D1TR中文资料_价格

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详细数据请看参考数据手册

型号： IRF7324D1TR
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7324D1TR由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7324D1TR价格参考。International RectifierIRF7324D1TR封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 P 沟道 20V 2.2A（Ta） 2W（Ta） 8-SO。您可以下载IRF7324D1TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7324D1TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF7324D1TR是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物场效应晶体管），主要应用于需要高效开关和功率管理的场景。以下是该型号的具体应用场景：

 1. 电源管理
IRF7324D1TR常用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等电源管理系统中。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性有助于提高电源转换效率，减少能量损耗。特别适用于笔记本电脑、智能手机和平板电脑等便携式电子设备的充电电路中。

 2. 电机驱动
在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具、家用电器（如吸尘器、风扇）等，IRF7324D1TR可以作为开关元件来控制电机的启动、停止和速度调节。其高电流承载能力和低功耗特性使其非常适合这些应用。

 3. 电池管理系统（BMS）
在电池管理系统中，IRF7324D1TR可用于电池充放电保护电路。通过精确控制电流流动，它可以防止电池过充或过放，从而延长电池寿命并确保安全。广泛应用于电动汽车、储能系统和便携式设备的电池管理中。

 4. 负载开关
IRF7324D1TR可用作负载开关，实现对不同负载的通断控制。例如，在汽车电子系统中，它可以用于控制车灯、音响系统等外围设备的电源供应。其快速响应时间和低导通损耗使得它在这些应用中表现出色。

 5. 信号调理
在一些信号调理电路中，IRF7324D1TR可以用作模拟开关或缓冲器，用于隔离或放大微弱信号。其低栅极电荷和快速开关速度有助于保持信号的完整性和准确性。

 6. 通信设备
在通信设备中，如基站、路由器等，IRF7324D1TR可用于电源管理和信号处理部分。它的高可靠性和低噪声特性使其适合这些对性能要求较高的应用场景。

总之，IRF7324D1TR凭借其优异的电气性能和可靠性，广泛应用于各种需要高效开关和功率管理的领域，特别是在便携式电子设备、汽车电子和工业控制系统中表现尤为突出。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
描述	MOSFET P-CH 20V 2.2A 8-SOIC
产品分类	FET - 单
FET功能	二极管（隔离式）
FET类型	MOSFET P 通道，金属氧化物
品牌	International Rectifier
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
产品型号	IRF7324D1TR
rohs	含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	FETKY™
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	260pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	7.8nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	270 毫欧 @ 1.2A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
供应商器件封装	8-SO
功率-最大值	2W
包装	带卷（TR）
安装类型	表面贴装
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准包装	4,000
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	2.2A （Ta）