PD - 95297 IRF7321D2PbF FETKY (cid:2) (cid:2)(cid:3)(cid:2)MOSFET & Schottky Diode (cid:2) Co-packaged HEXFET(cid:147) Power MOSFET and Schottky Diode A 1 8 K V = -30V (cid:2) Ideal For Buck Regulator Applications DSS (cid:2) P-Channel HEXFET(cid:147) A 2 7 K (cid:2) Low VF Schottky Rectifier S 3 6 D RDS(on) = 0.062(cid:58) (cid:2) Generation 5 Technology G 4 5 D (cid:2) SO-8 Footprint Schottky Vf = 0.52V (cid:2) Lead-Free Top View Description The FETKYTM family of Co-packaged HEXFETs and Schottky diodes offer the designer an innovative board space saving solution for switching regulator and power management applications. Generation 5 HEXFETs utilize advanced processing techniques to achieve extremely low on-resistance per silicon area. Combinining this technology with International Rectifier's low forward drop Schottky rectifiers results in an extremely efficient device suitable for use in a wide variety of portable electronics applications. SO-8 The SO-8 has been modified through a customized leadframe for enhanced thermal characteristics. The SO-8 package is designed for vapor phase, infrared or wave soldering techniques. Absolute Maximum Ratings ( T = 25°C Unless Otherwise Noted) A Parameter Maximum Units ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ -10V -4.7 A ID @ TA = 70°C -3.8 IDM Pulsed Drain Current (cid:2) -38 PD @TA = 25°C Power Dissipation 2.0 W PD @TA = 70°C 1.3 Linear Derating Factor 16 mW/°C VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 V dv/dt Peak Diode Recovery dv/dt (cid:3) -5.0 V/ns TJ, TSTG Junction and Storage Temperature Range -55 to +150 °C Thermal Resistance Ratings Parameter Maximum Units R(cid:84)JA Junction-to-Ambient (cid:2) 62.5 °C/W Notes: (cid:2) Repetitive rating – pulse width limited by max. junction temperature (see fig. 11) (cid:3) ISD (cid:100) -2.9A, di/dt (cid:100) -77A/μs, VDD(cid:4)(cid:100) V(BR)DSS, TJ(cid:4)(cid:100) 150°C (cid:4) Pulse width (cid:100)(cid:3)300μs – duty cycle(cid:3)(cid:100)(cid:7)2% (cid:5)(cid:7) Surface mounted on FR-4 board, t(cid:7)(cid:100)(cid:3)(cid:3)10sec. www.irf.com (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:2)(cid:5)(cid:4)(cid:3)(cid:6)

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) MOSFET Electrical Characteristics @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions V(BR)DSS Drain-to-Source Breakdown Voltage -30 ––– ––– V VGS = 0V, ID = -250μA (cid:8)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10) (cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:10)(cid:12)(cid:13)(cid:7)(cid:14)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:17)(cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:13)(cid:20)(cid:7)(cid:21)(cid:16)(cid:17)(cid:8)(cid:20)(cid:22)(cid:12)(cid:22)(cid:10)(cid:11)(cid:16)(cid:13)(cid:20) ––– 0.0420.062 (cid:58) VGS = -10V, ID = -4.9A(cid:3)(cid:4) ––– 0.0760.098 VGS = -4.5V, ID = -3.6A (cid:4) VGS(th) Gate Threshold Voltage -1.0 ––– ––– V VDS = VGS, ID = -250μA gfs Forward Transconductance ––– 7.7 ––– S VDS = -15V, ID = -4.9A I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– -1.0 (cid:24)(cid:25) VDS = -24V, VGS = 0V DSS ––– ––– -25 VDS = -24V, VGS = 0V, TJ = 55°C (cid:23)(cid:11)(cid:6)(cid:6) Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 (cid:16)(cid:25) VGS = -20V Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 VGS = 20V Qg Total Gate Charge ––– 23 34 ID = -4.9A Qgs Gate-to-Source Charge ––– 3.8 5.7 nC VDS = -15V Qgd Gate-to-Drain ("Miller") Charge ––– 5.9 8.9 VGS = -10V, See Fig. 6 (cid:4) td(on) Turn-On Delay Time ––– 13 19 VDD = -15V tr Rise Time ––– 13 20 (cid:16)(cid:22) ID = -1.0A td(off) Turn-Off Delay Time ––– 34 51 RG = 6.0(cid:58) tf Fall Time ––– 32 48 RD = 15(cid:58), (cid:4) Ciss Input Capacitance ––– 710 ––– VGS = 0V Coss Output Capacitance ––– 380 ––– pF VDS = -25V Crss Reverse Transfer Capacitance ––– 180 ––– ƒ = 1.0MHz, See Fig. 5 MOSFET Source-Drain Ratings and Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions IS Continuous Source Current(Body Diode) ––– ––– -2.5 (cid:25) ISM Pulsed Source Current (Body Diode) ––– ––– -30 VSD Body Diode Forward Voltage ––– -0.78 -1.0 V TJ = 25°C, IS = -1.7A, VGS = 0V trr Reverse Recovery Time (Body Diode) ––– 44 66 ns TJ = 25°C, IF = -1.7A Qrr Reverse Recovery Charge ––– 42 63 nC di/dt = 100A/μs(cid:4)(cid:4) Schottky Diode Maximum Ratings Parameter Max. Units Conditions If (av) Max. Average Forward Current 3.2 50% Duty Cycle. Rectangular Wave, Tc = 25°C (cid:25) 2.0 See Fig.14 Tc = 70°C ISM Max. peak one cycle Non-repetitive 200 5μs sine or 3μs Rect. pulse Following any rated Surge current 20 (cid:25) 10ms sine or 6ms Rect. pulse load condition & with Vrrm applied Schottky Diode Electrical Specifications Parameter Max. Units Conditions Vfm Max. Forward voltage drop 0.57 If = 3.0, Tj = 25°C 0.77 If = 6.0, Tj = 25°C (cid:26) 0.52 If = 3.0, Tj = 125°C 0.79 If = 6.0, Tj = 125°C . Irm Max. Reverse Leakage current 0.30 (cid:27)(cid:25) Vr = 30V Tj = 25°C 37 Tj = 125°C Ct Max. Junction Capacitance 310 pF Vr = 5Vdc ( 100kHz to 1 MHz) 25°C dv/dt Max. Voltage Rate of Charge 4900 V/μs Rated Vr ( HEXFET is the reg. TM for International Rectifier Power MOSFET's ) 2 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Power Mosfet Characteristics 100 VGS(cid:31) 100 VGS(cid:31) TOP - 15V TOP - 15V - 10V - 10V - 7.0V - 7.0V Current (A) B O T T O M ----- 54433.....55050VVVVV Current (A) B O T T O M ----- 54433.....55050VVVVV Source 10 Source 10 Drain-to- -3.0V Drain-to- -3.0V -I , D -I , D 20μs PULSE WIDTH(cid:31) 20μs PULSE WIDTH(cid:31) 1 TJ = 25°C A 1 TJ = 150°C A 0.1 1 10 0.1 1 10 -VD S , Drain-to-Source Voltage (V) -VD S , Drain-to-Source Voltage (V) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:9)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:17)(cid:5)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:6)(cid:7)(cid:12) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:8)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:18)(cid:19)(cid:17)(cid:5)(cid:19)(cid:17)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:6)(cid:7)(cid:12) 100 2.0 ID=(cid:17)4(cid:17)(cid:2).9(cid:3)(cid:4)A(cid:5) e c n a ) st nt (A Resi 1.5 Curre TJ = 25°C e On ed) urce 10 TJ = 150°C Sourcmaliz 1.0 o-So n-to-(Nor -t ai ain Dr 0.5 -I , DrD V D S = -10V R , DS(on) VGS=(cid:17)1(cid:17)(cid:6)0(cid:7)V(cid:8) 20μs PULSE WIDTH(cid:31) 0.0 1 A -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140 160 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 5.5 6.0 T , Junction Temperature ( ° C) J -V , Gate-to-Source Voltage (V) GS (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:10)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:20)(cid:21)(cid:10)(cid:22)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:23)(cid:14)(cid:24)(cid:2)(cid:18)(cid:11)(cid:25)(cid:26)(cid:14)(cid:12)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:14) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:3)(cid:10)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:2)(cid:15)(cid:16)(cid:8)(cid:10)(cid:8)(cid:7)(cid:17)(cid:14)(cid:10)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:6)(cid:7)(cid:12) (cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:2)(cid:3)(cid:14)(cid:22)(cid:5)(cid:14)(cid:10)(cid:8)(cid:17)(cid:19)(cid:10)(cid:14) www.irf.com 3

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Power Mosfet Characteristics 1400 (cid:4)(cid:12)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:14)(cid:12)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:15)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:17)(cid:18) 20 ID=-4.9A (cid:4)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:19)(cid:22)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:4)(cid:4)(cid:19)(cid:22)(cid:24)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:4)(cid:19)(cid:24)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:4)(cid:6)(cid:17)(cid:25)(cid:26)(cid:2)(cid:27)(cid:5) 1200 (cid:4)(cid:19)(cid:28)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:19)(cid:22)(cid:24) V) VDS=-15V (cid:4)(cid:19)(cid:8)(cid:21)(cid:21)(cid:4)(cid:13)(cid:4)(cid:19)(cid:24)(cid:21)(cid:4)(cid:4)(cid:23)(cid:4)(cid:19)(cid:22)(cid:24) e ( 16 g ance (pF) 1800000 CCo(cid:31)i(cid:31)ssss urce Volta 12 cit So pa 600 o- Ca e-t 8 C, 240000 Cr(cid:31)ss V , GatGS 4 - 0 A 0 0 10 20 30 40 1 10 100 (cid:17)V , Drain-to-Source Voltage (V) Q G , Total Gate Charge (nC) DS Fig 5. Typical Capacitance Vs. Fig 6. Typical Gate Charge Vs. Drain-to-Source Voltage Gate-to-Source Voltage 100 100 OPERATION IN THIS AREA LIMITED A) BY RDS(on) nt ( e Drain Curr TJ = 150°C urrent (A)urrent (A) 100us se 10 n Cn C 10 er TJ = 25°C aiai ev DrDr -I , RSD -I , I , D 1ms TC= 25 ° C TJ= 150 ° C 10ms VG S = 0V(cid:31) Single Pulse 1 A 1 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1 10 100 -VS D , Source-to-Drain Voltage (V) -VD S , Drain-to-Source Voltage (V) Fig 7. Typical Source-Drain Diode Fig 8. Maximum Safe Operating Area Forward Voltage 4 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Power Mosfet Characteristics 100 ) 0.50 Z thJA 0.20 ( 10 e 0.10 s n po 0.05 s e al R 0.02 PDM m 1 0.01 t1 er h t2 T Notes: SINGLE PULSE (THERMAL RESPONSE) 1. Duty factor D =t 1 / t2 2. Peak TJ=PDMx ZthJA + TA 0.1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t , Rectangular Pulse Duration (sec) 1 (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:11)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:29)(cid:8)(cid:30)(cid:6)(cid:22)(cid:19)(cid:22)(cid:2)(cid:31)(cid:13)(cid:13)(cid:14)(cid:7)(cid:17)(cid:6) (cid:14)(cid:2)(cid:3)(cid:10)(cid:8)(cid:11)(cid:12)(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:17)(cid:2)(cid:3)(cid:16)(cid:14)(cid:10)(cid:22)(cid:8)(cid:9)(cid:2)!(cid:22)(cid:5)(cid:14)(cid:24)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:14)"(cid:2)#(cid:19)(cid:11)(cid:7)(cid:17)(cid:6)(cid:21)(cid:11)(cid:25)(cid:17)(cid:21)(cid:25)$(cid:22)%(cid:6)(cid:14)(cid:11)(cid:17) (cid:28)(cid:29)(cid:58) 0.6 (cid:29)(cid:58) 0.16 (cid:13)(cid:20)(cid:7) (cid:20)(cid:7)(cid:28) (cid:16) (cid:13) (cid:11) 0.5 (cid:16) (cid:20)(cid:22)(cid:12)(cid:22)(cid:10) (cid:22)(cid:12)(cid:22)(cid:10)(cid:11) 0.12 (cid:8) (cid:20) (cid:21)(cid:16)(cid:7) 0.4 (cid:16)(cid:7)(cid:8) (cid:13)(cid:20)(cid:7) (cid:20)(cid:7)(cid:21) (cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:15) 0.3 (cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:13) 0.08 I D = -4.9A(cid:31) (cid:18)(cid:16)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:7)(cid:14)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:17) 00..12 V G S = -4.5V(cid:31) (cid:16)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:7)(cid:14)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:17)(cid:9) 0.04 (cid:28)(cid:5)(cid:6)(cid:4)(cid:4) V G S = -10V(cid:31) (cid:28)(cid:18)(cid:6)(cid:4)(cid:4) (cid:8) (cid:5) (cid:8) 0.0 A 0.00 A 0 10 20 30 0 3 6 9 12 15 (cid:17)(cid:26) (cid:7)(cid:30)(cid:7) (cid:11)(cid:10)(cid:20)(cid:7)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:17)(cid:9)(cid:18)(cid:19)(cid:15)(cid:13)(cid:20)(cid:7)(cid:26)(cid:18)!(cid:10)(cid:11)"(cid:20)(cid:7)(cid:7)(cid:28)(cid:26)(cid:29) (cid:17)(cid:23) (cid:7)(cid:30)(cid:7)(cid:14)(cid:15)(cid:11)(cid:12)(cid:16)(cid:7)(cid:31)(cid:19)(cid:15)(cid:15)(cid:20)(cid:16)(cid:10)(cid:7)(cid:7)(cid:28)(cid:25)(cid:29) (cid:11)(cid:6) (cid:5) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:9)(cid:12)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:18)(cid:11)(cid:25)(cid:26)(cid:14)(cid:12)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:14)(cid:2)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:2)&(cid:10)(cid:8)(cid:6)(cid:11) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:9)(cid:9)(cid:7)(cid:2)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:2)(cid:18)(cid:11)(cid:25)(cid:26)(cid:14)(cid:12)(cid:6)(cid:12)(cid:17)(cid:8)(cid:11)(cid:7)(cid:14)(cid:2)(cid:27)(cid:12)(cid:28)(cid:2)’(cid:8)(cid:17)(cid:14) (cid:15)(cid:19)(cid:10)(cid:10)(cid:14)(cid:11)(cid:17) (cid:27)(cid:21)(cid:9)(cid:17)(cid:8)((cid:14) www.irf.com 5

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) Schottky Diode Characteristics 100 (cid:3)(cid:0)(cid:0) (cid:22)(cid:2)(cid:23)(cid:0)(cid:6)(cid:2)(cid:3)(cid:4) (cid:3)(cid:0) (cid:0)(cid:7)(cid:6)(cid:3)(cid:4) (cid:25)(cid:29) (cid:0)(cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4) (cid:27) (cid:7)(cid:28)(cid:26) (cid:3) (cid:17)(cid:7)(cid:23) (cid:5)(cid:6)(cid:3)(cid:4) (cid:16)(cid:10)(cid:7) (cid:19)(cid:15)(cid:15)(cid:20) (cid:0)(cid:2)(cid:3) (cid:6)(cid:2)(cid:3)(cid:4) urrent - I (A)F 10 TJ = 150°C (cid:8)(cid:20)#(cid:20)(cid:15)(cid:22)(cid:20)(cid:7)(cid:31) (cid:0)(cid:2)(cid:0)(cid:0)(cid:2)(cid:0)(cid:0)(cid:3)(cid:3) (cid:7)(cid:6)(cid:3)(cid:4) (cid:0) d C TJ = 125°C (cid:0) (cid:3)(cid:0) (cid:4)(cid:0) (cid:5)(cid:0) orwar T J = 25°C (cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:9)(cid:11)(cid:12)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:9)(cid:19)(cid:13)(cid:0) (cid:20)(cid:13)(cid:21) F us Fig. 13 - Typical Values of o ne Reverse Current Vs. Reverse Voltage a nt 1 a st In C) 160 e - (° 140 VRS q rt h u = Ja A r8 e 0= w% 6a 2vR.e5a°teCd/W ur at 120 r e p m 100 e DC T nt 80 e 0.1 bi 60 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 m D = 3/4 Forward Voltage Drop - V F M (V) e A 40 D = 1/2 Forward Voltage Drop - VF (V) bl D =1/3 a D = 1/4 w 20 D = 1/5 o Fig. 12 - Typical Forward Voltage Drop All 0 A Characteristics 0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 Average Forward Current - I (A) F(AV) Fig.14 - Maximum Allowable Ambient Temp. Vs. Forward Current 6 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) SO-8 (Fetky) Package Outline INCHES MILLIMETERS DIM D B MIN MAX MIN MAX A 5 A .0532 .0688 1.35 1.75 A1 .0040 .0098 0.10 0.25 b .013 .020 0.33 0.51 8 7 6 5 c .0075 .0098 0.19 0.25 6 H D .189 .1968 4.80 5.00 E 0.25 [.010] A E .1497 .1574 3.80 4.00 1 2 3 4 e .050 BASIC 1.27 BASIC e1 .025 BASIC 0.635 BASIC H .2284 .2440 5.80 6.20 K .0099 .0196 0.25 0.50 6X e L .016 .050 0.40 1.27 y 0° 8° 0° 8° e1 K x 45° A C y 0.10 [.004] 8X b A1 8X L 8X c 0.25 [.010] C A B 7 FOOTPRINT NOTES: 1. DIMENSIONING & TOLERANCING PER ASME Y14.5M-1994. 8X 0.72 [.028] 2. CONTROLLING DIMENSION: MILLIMETER 3. DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS [INCHES]. 4. OUTLINE CONFORMS TO JEDEC OUTLINE MS-012AA. 5 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.15 [.006]. 6.46 [.255] 6 DIMENSION DOES NOT INCLUDE MOLD PROTRUSIONS. MOLD PROTRUSIONS NOT TO EXCEED 0.25 [.010]. 7 DIMENSION IS THE LENGTH OF LEAD FOR SOLDERING TO A SUBSTRATE. 3X 1.27 [.050] 8X 1.78 [.070] SO-8 (Fetky) Part Marking Information EXAMPLE: THIS IS AN IRF7807D1 (FETKY) DATE CODE (YWW) P = DISGNATES LEAD - FREE PRODUCT (OPTIONAL) Y = LAST DIGIT OF THE YEAR XXXX WW = WEEK A = ASSEMBLY SITE CODE INTERNATIONAL 807D1 RECTIFIER LOT CODE LOGO PART NUMBER www.irf.com 7

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:4) SO-8 Tape and Reel Dimensions are shown in milimeters (inches) TERMINAL NUMBER 1 12.3 ( .484 ) 11.7 ( .461 ) 8.1 ( .318 ) 7.9 ( .312 ) FEED DIRECTION NOTES: 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. ALL DIMENSIONS ARE SHOWN IN MILLIMETERS(INCHES). 3. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. 330.00 (12.992) MAX. 14.40 ( .566 ) 12.40 ( .488 ) NOTES : 1. CONTROLLING DIMENSION : MILLIMETER. 2. OUTLINE CONFORMS TO EIA-481 & EIA-541. Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualifications Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.10/04 8 www.irf.com