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  • 型号: IRF7317TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7317TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7317TRPBF价格参考。International RectifierIRF7317TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7317TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7317TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET N+P 20V 5.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL N/PCh 20V 6.6A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

N 和 P 沟道

Id-ContinuousDrainCurrent

6.6 A

Id-连续漏极电流

6.6 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7317TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF7317TRPBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

18 nC

Qg-栅极电荷

18 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

29 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

29 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

900pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

27nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 6A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7317PBFTR

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

29 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

N and P-Channel

栅极电荷Qg

18 nC

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

20 V

漏极连续电流

6.6 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.6A,5.3A

配置

Dual

闸/源击穿电压

12 V

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