ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7314PBF
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Datasheet下载- 型号： IRF7314PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7314PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7314PBF价格参考￥1.33-￥1.35。International RectifierIRF7314PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 5.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7314PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7314PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF7314PBF是由英飞凌科技（Infineon Technologies）生产的MOSFET阵列晶体管，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理：IRF7314PBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块中，提供高效的功率切换功能。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高系统效率。 2. 电机驱动：该器件适用于小型直流电机或步进电机的驱动电路，能够实现精确的速度控制和方向切换。其双MOSFET结构适合H桥或半桥驱动应用。 3. 负载开关：在便携式设备（如智能手机、平板电脑等）中，IRF7314PBF可用作负载开关，控制不同电路模块的供电状态，从而优化功耗。 4. 电池保护：该器件可用于电池管理系统中，防止过充、过放或短路等情况发生。其快速开关特性和低漏电流设计有助于延长电池寿命。 5. 信号切换：在需要高速信号切换的应用中，IRF7314PBF可作为模拟开关使用，支持音频信号、数据信号或其他高频信号的传输。 6. 汽车电子：在汽车领域，该器件可用于车窗升降、座椅调节、雨刷控制等辅助系统的驱动电路中，满足严格的可靠性要求。 总之，IRF7314PBF凭借其优异的电气性能和紧凑的封装形式，在消费电子、工业控制和汽车电子等领域具有广泛的适用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N / P CH 12V VGS MAX |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 P 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | - 5.3 A |
| Id-连续漏极电流 | - 5.3 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7314PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7314PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 19 nC |
| Qg-栅极电荷 | 19 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 98 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 98 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 40 ns |
| 下降时间 | 49 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 780pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 29nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 58 毫欧 @ 2.9A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 典型关闭延迟时间 | 42 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 98 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 |
| 工厂包装数量 | 95 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 19 nC |
| 标准包装 | 95 |
| 汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
| 漏极连续电流 | - 5.3 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 5.3A |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
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