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  • 型号: IRF7313PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7313PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7313PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7313PBF价格参考。International RectifierIRF7313PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 30V 6.5A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7313PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7313PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7313PBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的MOSFET阵列,属于晶体管类别。该型号的应用场景主要集中在需要高效功率开关和信号切换的电子系统中。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   - IRF7313PBF广泛应用于各种电源管理系统,例如DC-DC转换器、开关电源(SMPS)以及电池充电电路。其低导通电阻(Rds(on))特性能够减少功率损耗,提高系统的效率。
   - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)的电源管理模块中,它用于实现高效的电压调节。

 2. 电机驱动
   - 适用于小型直流电机或无刷直流电机(BLDC)的驱动控制。通过快速开关和低功耗特性,IRF7313PBF可以实现精确的速度和方向控制。
   - 常见于家用电器(如风扇、水泵)、玩具和自动化设备中的电机驱动电路。

 3. 负载开关
   - 在需要动态开启或关闭负载的场景中,IRF7313PBF可用作负载开关。例如,在多通道供电系统中,它可以独立控制每个通道的通断,从而优化能源分配。
   - 应用于消费电子产品、工业控制器和通信设备中的负载管理。

 4. 信号切换与隔离
   - 在需要高频信号切换或隔离的场景中,IRF7313PBF可作为高性能开关使用。例如,在音频设备、数据通信接口或传感器信号处理电路中,它能够实现低失真和高可靠性的信号传输。

 5. 汽车电子
   - 该器件符合车规级要求(具体需参考产品规格书),因此在汽车电子领域也有广泛应用。例如,用于车载信息娱乐系统、LED照明控制、电动车窗及座椅调节电路等。

 6. 便携式设备
   - 在移动设备中,IRF7313PBF的小型封装(如PBF封装)使其非常适合空间受限的设计。例如,用于USB端口保护、锂电池保护电路以及无线充电模块。

 总结
IRF7313PBF凭借其双MOSFET集成设计、低导通电阻和高频率性能,成为多种应用的理想选择。无论是消费类电子产品、工业自动化还是汽车电子,该器件都能提供高效、可靠的功率管理和信号切换解决方案。在实际使用时,需根据具体应用场景选择合适的驱动电压和散热设计,以确保最佳性能和稳定性。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOICMOSFET 30V DUAL N-CH HEXFET 29mOhms 22nC

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

6.5 A

Id-连续漏极电流

6.5 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7313PBFHEXFET®

数据手册

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产品型号

IRF7313PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

22 nC

Qg-栅极电荷

22 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

46 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

46 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8.9 ns

下降时间

17 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

650pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

33nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

29 毫欧 @ 5.8A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

26 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

46 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

22 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

30 V

漏极连续电流

6.5 A

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

6.5A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7313.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7313.spi

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

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