ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列 > IRF7311TRPBF
/IRF7311TRPBF.jpg)
Datasheet下载- 型号： IRF7311TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7311TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7311TRPBF价格参考。International RectifierIRF7311TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 6.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7311TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7311TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF7311TRPBF是一款双通道N沟道MOSFET阵列，广泛应用于需要高效、低功耗和紧凑设计的电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 电源管理 IRF7311TRPBF常用于电源管理系统，特别是在便携式设备如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中。其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功率损耗，提高电源转换效率，延长电池寿命。 2. 电机驱动 在小型电机驱动应用中，如无人机、电动工具和家用电器（如吸尘器、风扇等），IRF7311TRPBF可以作为开关元件，控制电机的启动、停止和调速。其快速开关特性和低功耗特性使其非常适合这些应用场景。 3. 负载开关 该器件也适用于负载开关电路，尤其是在多通道供电系统中。它可以有效地隔离不同负载，确保每个负载在需要时获得稳定的电源供应，同时在不需要时切断电流，避免不必要的功耗。 4. 通信设备 在通信设备中，如路由器、交换机和其他网络基础设施中，IRF7311TRPBF可用于信号调理和电源管理模块。它能够提供高效的开关性能，确保通信系统的稳定性和可靠性。 5. 消费电子产品 在消费电子产品如电视、音响系统和其他多媒体设备中，IRF7311TRPBF可以用于音频放大器、背光驱动等电路中。其低噪声和高效率特性有助于提升产品的整体性能和用户体验。 6. 工业自动化 在工业自动化领域，IRF7311TRPBF可用于PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和执行器驱动等应用。其坚固耐用的设计和宽工作温度范围（-40°C至+125°C）使其能够在恶劣的工业环境中可靠运行。 总之，IRF7311TRPBF凭借其优异的电气性能、紧凑的封装和广泛的适用性，成为多种应用场景中的理想选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 900 pF |
| 描述 | MOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6A |
| 产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | 2 个 N 沟道（双） |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.6 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7311TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF7311TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| Qg-GateCharge | 18 nC |
| Qg-栅极电荷 | 18 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 29 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 0.7 V |
| 上升时间 | 17 ns |
| 下降时间 | 31 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 700mV @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 900pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 27nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 29 毫欧 @ 6A，4.5V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | IRF7311PBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 38 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 功率耗散 | 2 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 29 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SO-8 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 18 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 20 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 20 V |
| 漏极连续电流 | 6.6 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 6.6A |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf7311.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf7311.spi |
| 配置 | Dual |
| 闸/源击穿电压 | 12 V |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
