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型号： IRF7306PBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7306PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7306PBF价格参考。International RectifierIRF7306PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 P 沟道（双） Mosfet 阵列 30V 3.6A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7306PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7306PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7306PBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管 - FET，MOSFET - 阵列产品。该型号为双N沟道MOSFET阵列，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，适用于多种电子应用领域。以下是其主要应用场景：

1. 电源管理：  
   IRF7306PBF常用于直流-直流转换器（DC-DC转换器）中的同步整流电路，能够提高效率并降低功耗。它也适合于负载开关和电源分配网络的设计。

2. 电机驱动：  
   该器件可用于小型电机驱动电路，例如步进电机、无刷直流电机（BLDC）或有刷直流电机的控制。其低导通电阻特性有助于减少发热并提高系统效率。

3. 电池保护与管理：  
   在便携式设备中，IRF7306PBF可用于电池保护电路，实现过流保护、短路保护以及充放电控制等功能。

4. 信号切换与隔离：  
   由于其快速开关特性和低电容，IRF7306PBF适合用作信号切换和隔离的开关元件，特别是在高频信号路径中。

5. 消费类电子产品：  
   包括智能手机、平板电脑、笔记本电脑和其他便携式设备中的电源管理模块，IRF7306PBF因其紧凑的封装和高效性能而被广泛采用。

6. 工业应用：  
   在工业自动化领域，该器件可用于可编程逻辑控制器（PLC）、传感器接口和继电器替代方案中，提供可靠的开关功能。

7. 通信设备：  
   在通信基站、路由器和交换机等设备中，IRF7306PBF可用于电源管理和信号切换，确保设备稳定运行。

总之，IRF7306PBF凭借其高性能参数和可靠性，成为许多现代电子系统中不可或缺的关键组件，特别适合需要高效能和小体积解决方案的应用场合。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOICMOSFET 20V DUAL N-CH HEXFET 100mOhms 16.7nC
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 P 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	- 3.6 A
Id-连续漏极电流	- 3.6 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7306PBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7306PBF
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	16.7 nC
Qg-栅极电荷	16.7 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	100 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	100 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	- 30 V
Vds-漏源极击穿电压	- 30 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	17 ns
下降时间	18 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	440pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	25nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	100 毫欧 @ 1.8A，10V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
典型关闭延迟时间	25 ns
功率-最大值	2W
功率耗散	2 W
包装	管件
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	100 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	95
晶体管极性	P-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
栅极电荷Qg	16.7 nC
标准包装	95
汲极/源极击穿电压	- 30 V
漏极连续电流	- 3.6 A
漏源极电压(Vdss)	30V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	3.6A
通道模式	Enhancement
配置	Dual
闸/源击穿电压	20 V