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  • 型号: IRF7304TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7304TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7304TRPBF价格参考。International RectifierIRF7304TRPBF封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF7304TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7304TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7304TRPBF是由英飞凌科技(Infineon Technologies)生产的晶体管,属于FET/MOSFET阵列类别。该型号是一款双N沟道MOSFET器件,具有以下典型应用场景:

1. 电机控制:  
   IRF7304TRPBF适用于小型直流电机驱动和控制电路,例如玩具、家用电器中的电机控制。其低导通电阻(Rds(on))特性可以减少功率损耗,提高效率。

2. 电源管理:  
   该器件常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和负载开关中。由于其快速开关特性和较低的导通电阻,能够有效降低能量损耗并提高系统的整体效率。

3. 电池保护与管理:  
   在电池管理系统(BMS)中,IRF7304TRPBF可用于过流保护、短路保护以及充放电控制。它能确保电池在安全的工作范围内运行,延长电池寿命。

4. 信号切换与隔离:  
   该MOSFET阵列适合用作信号切换或隔离元件,在音频设备、通信模块等需要高频信号切换的应用中表现良好。

5. 汽车电子:  
   虽然具体车规认证需查阅数据手册确认,但类似规格的器件广泛应用于汽车电子领域,如车窗升降系统、座椅调节、雨刷控制等。

6. 消费类电子产品:  
   包括便携式设备(如平板电脑、智能手机充电器)在内的多种消费类产品中,该型号可用于高效功率转换和管理。

总之,IRF7304TRPBF凭借其出色的电气性能和可靠性,成为众多电力电子应用的理想选择。实际使用时应根据具体需求参考产品数据手册以确保正确设计与操作。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

描述

MOSFET 2P-CH 20V 4.3A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 4.3A

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

2 个 P 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

- 4.3 A

Id-连续漏极电流

- 4.3 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7304TRPBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7304TRPBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

14.7 nC

Qg-栅极电荷

14.7 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

140 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

140 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 20 V

Vds-漏源极击穿电压

- 20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

12 V

Vgs-栅源极击穿电压

12 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

700mV @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

610pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

22nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

90 毫欧 @ 2.2A,4.5V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品目录页面

点击此处下载产品Datasheet

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

其它名称

IRF7304PBFTR

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

带卷 (TR)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

140 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

4000

晶体管极性

P-Channel

栅极电荷Qg

14.7 nC

标准包装

4,000

汲极/源极击穿电压

- 20 V

漏极连续电流

- 4.3 A

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

4.3A

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf7304.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf7304.spi

配置

Dual

闸/源击穿电压

12 V

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