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型号： IRF7301TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7301TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7301TRPBF价格参考。International RectifierIRF7301TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 阵列， 2 个 N 沟道（双） Mosfet 阵列 20V 5.2A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7301TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF7301TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

IRF7301TRPBF是由Infineon Technologies（英飞凌科技）生产的一款晶体管，属于FET（场效应晶体管）、MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）阵列类别。该型号的应用场景主要包括以下几个方面：

 1. 电源管理
   - IRF7301TRPBF常用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电压调节模块（VRM）中，提供高效的功率转换。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性有助于减少功耗，提高电源效率。

 2. 电机驱动
   - 在小型电机控制中，如风扇、泵或伺服电机，该器件可作为驱动电路的一部分，实现精准的电流控制。
   - 它适用于H桥或半桥拓扑结构，支持双向电机控制。

 3. 负载切换
   - 用于电子设备中的负载切换功能，例如在汽车电子、消费电子和工业自动化中，快速且可靠地接通或断开负载。
   - 其高开关速度和低损耗特性使其适合频繁切换的应用。

 4. 信号切换与放大
   - 在需要高速信号切换的场合，如通信设备、数据采集系统或测试仪器中，该MOSFET阵列可以实现高效信号传递和放大。

 5. 电池管理系统（BMS）
   - 用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响，通过精确控制充电和放电路径来延长电池寿命。
   - 在电动汽车（EV）或便携式设备中，它可用于电池单元的均衡管理。

 6. 工业自动化
   - 在PLC（可编程逻辑控制器）、传感器接口和其他工业控制系统中，IRF7301TRPBF能够实现高可靠性、高性能的开关操作。

 7. 汽车电子
   - 适用于车载信息娱乐系统、LED照明控制以及车身电子系统的各种开关应用。
   - 其坚固的设计和良好的热性能确保了在严苛环境下的稳定运行。

总之，IRF7301TRPBF凭借其优异的电气特性和可靠性，广泛应用于需要高效功率管理、快速开关和低功耗的领域。具体选择时需根据实际需求考虑工作电压、电流及散热条件等因素。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOICMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 5.2A
产品分类	FET - 阵列分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	2 个 N 沟道（双）
Id-ContinuousDrainCurrent	5.2 A
Id-连续漏极电流	5.2 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7301TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF7301TRPBF
Pd-PowerDissipation	2 W
Pd-功率耗散	2 W
Qg-GateCharge	13.3 nC
Qg-栅极电荷	13.3 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	50 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	50 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	700mV @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	660pF @ 15V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	20nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	50 毫欧 @ 2.6A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品目录页面	点击此处下载产品Datasheet
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	*IRF7301TRPBF IRF7301PBFCT
功率-最大值	2W
功率耗散	2 W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	50 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
栅极电荷Qg	13.3 nC
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	20 V
漏极连续电流	5.2 A
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	5.2A
配置	Dual
闸/源击穿电压	12 V