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IRF710PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF710PBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF710PBF价格参考。VishayIRF710PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 400V 2A(Tc) 36W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF710PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF710PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRF710PBF是由Vishay Siliconix生产的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),属于N沟道增强型功率MOSFET。其典型应用场景包括: 1. 开关电源:IRF710PBF可用于开关电源中的功率开关,适用于DC-DC转换器、逆变器等场景。其低导通电阻和快速开关特性能够提高效率并减少能量损耗。 2. 电机驱动:该器件适合用于小型直流电机或步进电机的驱动电路中,作为开关元件控制电机的启动、停止及速度调节。 3. 负载切换:在需要频繁开启或关闭负载的应用中,如汽车电子系统中的负载切换,IRF710PBF可以提供高效且可靠的性能。 4. 续流保护:在电感性负载电路中,例如继电器或电磁阀控制电路,IRF710PBF可以用作续流二极管的替代方案,以防止反向电动势对电路造成损害。 5. 音频功放:在一些D类音频放大器设计中,IRF710PBF可作为输出级的开关元件,实现高效率的声音信号放大。 6. 电池管理系统:用于锂电池或其他类型电池组的充放电管理,通过精确控制电流来保护电池免受过充、过放等情况的影响。 总之,IRF710PBF凭借其良好的电气特性和稳定性,在各种电力电子设备中发挥着重要作用,特别是在需要高效能、低功耗以及快速响应能力的场合下表现尤为突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 400V 2A TO-220ABMOSFET N-Chan 400V 2.0 Amp |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 2 A |
Id-连续漏极电流 | 2 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF710PBF- |
数据手册 | |
产品型号 | IRF710PBFIRF710PBF |
Pd-PowerDissipation | 36 W |
Pd-功率耗散 | 36 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.6 Ohms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 3.6 Ohms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 400 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 400 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
上升时间 | 9.9 ns |
下降时间 | 11 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 170pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.6 欧姆 @ 1.2A,10V |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220AB |
其它名称 | *IRF710PBF |
典型关闭延迟时间 | 21 ns |
功率-最大值 | 36W |
功率耗散 | 36 W |
包装 | 管件 |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
导通电阻 | 3.6 Ohms |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 50 |
汲极/源极击穿电压 | 400 V |
漏极连续电流 | 2 A |
漏源极电压(Vdss) | 400V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Tc) |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
闸/源击穿电压 | +/- 20 V |