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IRF7104TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7104TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7104TRPBF价格参考。International RectifierIRF7104TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 P 沟道(双) Mosfet 阵列 20V 2.3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7104TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7104TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | HEX/MOS P-CHAN DL 20V 2.3A 8SOICMOSFET MOSFT DUAL PCh -20V 2.3A |
产品分类 | FET - 阵列分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | 2 个 P 沟道(双) |
Id-ContinuousDrainCurrent | - 2.3 A |
Id-连续漏极电流 | - 2.3 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7104TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF7104TRPBF |
Pd-PowerDissipation | 2 W |
Pd-功率耗散 | 2 W |
Qg-GateCharge | 9.3 nC |
Qg-栅极电荷 | 9.3 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 250 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 250 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 12 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 290pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 25nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 250 毫欧 @ 1A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | 8-SO |
其它名称 | IRF7104PBFDKR |
功率-最大值 | 2W |
功率耗散 | 2 W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
导通电阻 | 250 mOhms |
封装 | Reel |
封装/外壳 | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
封装/箱体 | SOIC-8 |
工厂包装数量 | 4000 |
晶体管极性 | P-Channel |
栅极电荷Qg | 9.3 nC |
标准包装 | 1 |
汲极/源极击穿电压 | - 20 V |
漏极连续电流 | - 2.3 A |
漏源极电压(Vdss) | 20V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.3A |
配置 | Dual |
闸/源击穿电压 | 12 V |