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  • 型号: IRF7103PBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF7103PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF7103PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF7103PBF价格参考。International RectifierIRF7103PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 阵列, 2 个 N 沟道(双) Mosfet 阵列 50V 3A 2W 表面贴装 8-SO。您可以下载IRF7103PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF7103PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies(英飞凌科技)的IRF7103PBF是一款N沟道MOSFET阵列,广泛应用于各种电子设备和电路中。该型号具有低导通电阻、快速开关速度和高可靠性等特点,使其在多种应用场景中表现出色。

 应用场景

1. 电源管理:
   - IRF7103PBF常用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)和电池管理系统(BMS)。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电源效率。
   - 在多相电源设计中,多个MOSFET可以并联使用,以分散电流负载,确保系统的稳定性和可靠性。

2. 电机驱动:
   - 该器件适用于无刷直流电机(BLDC)和步进电机的驱动电路。其快速开关特性能够有效控制电机的速度和方向,同时减少电磁干扰(EMI)。
   - 在电动工具、家用电器和工业自动化设备中,IRF7103PBF可用于驱动小型电机,提供高效且稳定的性能。

3. 信号切换与保护:
   - 在需要高频信号切换的应用中,如音频放大器、通信设备和数据传输系统,IRF7103PBF可以实现快速、低损耗的信号切换。
   - 它还可以用于过流保护和短路保护电路,确保系统在异常情况下不会损坏。

4. 便携式设备:
   - 由于其低功耗和紧凑的封装形式,IRF7103PBF非常适合用于智能手机、平板电脑和其他便携式电子设备的电源管理和负载切换。
   - 在这些应用中,它可以帮助延长电池寿命,并提高设备的整体性能。

5. 汽车电子:
   - 在汽车电子领域,IRF7103PBF可用于车身控制系统、车载充电器和LED照明等应用。其高可靠性和耐高温特性使其能够在严苛的汽车环境中稳定工作。

总之,IRF7103PBF凭借其出色的电气性能和可靠性,成为许多电子设备和系统中的关键组件,尤其适合需要高效、快速响应和低功耗的应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET 2N-CH 50V 3A 8-SOICMOSFET 50V DUAL N-CH HEXFET 130mOhms 12nC

产品分类

FET - 阵列分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

2 个 N 沟道(双)

Id-ContinuousDrainCurrent

3 A

Id-连续漏极电流

3 A

品牌

International Rectifier

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF7103PBFHEXFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

IRF7103PBF

Pd-PowerDissipation

2 W

Pd-功率耗散

2 W

Qg-GateCharge

12 nC

Qg-栅极电荷

12 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

200 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

200 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

50 V

Vds-漏源极击穿电压

50 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

8 ns

下降时间

25 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

3V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

290pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

30nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

130 毫欧 @ 3A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

8-SO

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

2W

功率耗散

2 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

200 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)

封装/箱体

SOIC-8

工厂包装数量

95

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

栅极电荷Qg

12 nC

标准包装

95

汲极/源极击穿电压

50 V

漏极连续电流

3 A

漏源极电压(Vdss)

50V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

3A

通道模式

Enhancement

配置

Dual

闸/源击穿电压

20 V

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