Datasheet下载- 型号： IRF6811STR1PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6811STR1PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6811STR1PBF价格参考。International RectifierIRF6811STR1PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF6811STR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6811STR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N CH 25V 19A DIRECTFETMOSFET 25V 1 N-CH HEXFET 3.7mOhms 11nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 74 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6811STR1PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6811STR1PBF |
| PCN其它 | |
| PCN过时产品 | |
| Pd-PowerDissipation | 32 W |
| Pd-功率耗散 | 32 W |
| Qg-GateCharge | 11 nC |
| Qg-栅极电荷 | 11 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 5.4 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 16 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 16 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 35µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1590pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.7 毫欧 @ 19A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ SQ |
| 其它名称 | IRF6811STR1PBFDKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 5.4 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 SQ |
| 封装/箱体 | DirectFET-6 SQ |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 74 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 19A （Ta）， 74A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/modesls/saber/irf6811spbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/modesls/spice/irf6811spbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
![](https://productimg.icgoo.net/product-img/3m_photos/FP-301 1 1／2" WT 100'.jpg)
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