(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6) IRF6722MPbF IRF6722MTRPbF DirectFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:19)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:21)(cid:22) (cid:1) RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide (cid:1) V V R R (cid:1) Low Profile (<0.7 mm) DSS GS DS(on) DS(on) (cid:1) Dual Sided Cooling Compatible (cid:1) 30V max ±20V max 4.7mΩ@ 10V 8.0mΩ@ 4.5V (cid:1) Ultra Low Package Inductance Q Q Q Q Q V g tot gd gs2 rr oss gs(th) (cid:1) Optimized for High Frequency Switching (cid:1) 11nC 4.3nC 1.2nC 26nC 11nC 1.8V (cid:1)Ideal for CPU Core DC-DC Converters (cid:1) Optimized for Control FET application(cid:1) (cid:1) Low Conduction and Switching Losses (cid:1) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:1) (cid:1) 100% Rg tested (cid:1)(cid:2) DirectFET(cid:1) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)(cid:1) SQ SX ST MQ MX MT MP Description The IRF6722MPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a MICRO-8 and only 0.7 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET pack- age allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. The IRF6722MPbF balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6722MPbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck operating from 12 volt bus converters including Rds(on) and gate charge to minimize losses. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 30 V DS V Gate-to-Source Voltage ±20 GS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 13 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 11 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:1) 56 I Pulsed Drain Current (cid:2) 110 DM E Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 82 mJ AS IAS Avalanche Current(cid:4)(cid:2) 11 A 20 V) 14.0 )Ω ID = 13A age( 12.0 ID= 11A VDS= 24V m( )n 15 Veo tl 10.0 VDS= 15V o c 8.0 S( 10 ur D o Rpac ily 5 TJ = 125°C Saeo--tt 46..00 T T = 25°C G 2.0 J , S 0 G 0.0 V 0 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 4 8 12 16 20 24 28 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) QG, Total Gate Charge (nC) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs. Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:1) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:4) TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:2) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:5)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:3)(cid:1)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:6) Starting TJ = 25°C, L = 1.45mH, RG = 25Ω, IAS = 11A. www.irf.com 1 11/12/07

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 30 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA DSS GS D ∆ΒVDSS/∆TJ Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 23 ––– mV/°C Reference to 25°C, ID = 1mA RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 4.7 7.7 mΩ VGS = 10V, ID = 13A (cid:2) ––– 8.0 10.8 V = 4.5V, I = 11A (cid:2) GS D V Gate Threshold Voltage 1.4 1.8 2.4 V V = V , I = 50µA GS(th) DS GS D ∆V /∆T Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -5.9 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 µA V = 24V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 V = 24V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 25 ––– ––– S V = 15V, I = 11A DS D Q Total Gate Charge ––– 11 17 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 2.4 ––– V = 15V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 1.2 ––– nC V = 4.5V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 4.3 ––– I = 11A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 3.5 ––– See Fig. 15 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 5.5 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 11 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS RG Gate Resistance ––– 1.4 2.5 Ω t Turn-On Delay Time ––– 11 ––– V = 15V, V = 4.5V(cid:0)(cid:2) d(on) DD GS t Rise Time ––– 7.8 ––– ns I = 11A r D t Turn-Off Delay Time ––– 9.5 ––– R = 1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 6.1 ––– See Fig. 17 f C Input Capacitance ––– 1300 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 490 ––– pF V = 15V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 150 ––– ƒ = 1.0MHz rss Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 52 MOSFET symbol S (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 110 integral reverse SM (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– 0.81 1.0 V T = 25°C, I = 11A, V = 0V (cid:2) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 19 29 ns T = 25°C, I = 11A rr J F Q Reverse Recovery Charge ––– 26 39 nC di/dt = 250A/µs (cid:2) rr (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:7) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2%. 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units P @T = 25°C Power Dissipation (cid:0) 2.3 W D A PD @TA = 70°C Power Dissipation (cid:0) 1.5 P @T = 25°C Power Dissipation (cid:1) 42 D C TP Peak Soldering Temperature 270 °C T Operating Junction and -40 to + 150 J TSTG Storage Temperature Range Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units R Junction-to-Ambient (cid:0)(cid:2) ––– 55 θJA R Junction-to-Ambient (cid:3)(cid:2) 12.5 ––– θJA R Junction-to-Ambient (cid:4)(cid:2) 20 ––– °C/W θJA R Junction-to-Case (cid:1)(cid:2) ––– 3.0 θJC R Junction-to-PCB Mounted 1.0 ––– θJ-PCB Linear Derating Factor (cid:0)(cid:5) 0.018 W/°C 100 D = 0.50 )A 10 00..2100 J h Z t 0.05 nes( 1 00..0021 R1R1 R2R2 R3R3 Ri (°C/W) τi (sec) mRepoas l 0.1 τJτJτ1Cτi1C= i=τi /τRi/iRi τ2τ2 τ3τ3 τAτA 622.613..469685685 4003..90.91022437 er h T 0.01 SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:8) Used double sided cooling , mounting pad with large heatsink. (cid:10) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:9) Mounted on minimum footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink. (cid:3)(cid:2) Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:3)(cid:3)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:13)(cid:10)(cid:3)(cid:16)(cid:3)(cid:1)(cid:17)(cid:18)(cid:3)with (cid:3)(cid:3) Mounted on minimum (still air). small clip heatsink (still air) footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink (still air) www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V CAuenr()r t 10100 BOTTOM 443322......505085VVVVVV Aunerr()t 100 BOTTOM 443322......505085VVVVVV ec Ce our ucr S o Dnoar--, tIiD 0.11 2.5V ≤60µs PULSE WIDTH DSnoar--tI, iD 10 2.5V ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.01 1 0.1 1 10 100 0.1 1 10 100 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 1000 2.0 VDS = 15V ID = 13A ≤60µs PULSE WIDTH A() net 100 edaz)li VVGGSS == 41.05VV Curr mor 1.5 uecr 10 N(n) o o S S( o- D an-ti TJ = 150°C Ra l 1.0 Dr 1 TJ = 25°C pci , D TJ = -40°C Ty I 0.1 0.5 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0 4.5 5.0 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 10000 30 VGS = 0V, f = 1 MHZ Vgs = 3.5V T = 25°C C = C + C , C SHORTED J iss gs gd ds Vgs = 4.0V Crss = Cgd 25 Vgs = 4.5V Coss = Cds + Cgd Vgs = 5.0V F) )mΩ 20 VVggss == 810.0VV p nec( Ciss on)( acti 1000 (DS 15 CCapa, Coss Rpayc li 10 T 5 C rss 100 0 1 10 100 0 20 40 60 80 100 120 V , Drain-to-Source Voltage (V) DS ID, Drain Current (A) Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Fig 9. Typical On-Resistance vs. Drain Current and Gate Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) 1000 1000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) DS A) A)100 CDuenanrr(r t i 11000 TTTJJJ === 21-4550°0°C°CC Cuoueencr(rr t 10 DC 110m0µsseecc es So- 1 10msec eevr an-ti R ,DS 1 Dr ,D0.1 TA = 25°C I I T = 150°C J VGS = 0V Single Pulse 0 0.01 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig11. Maximum Safe Operating Area 60 3.0 V) e( 50 agotl 2.5 V An()t 40 hods l 2.0 e e Curr 30 ehr t na i Gat 1.5 ID = 50µA DrI,D 20 GSh()t IIDD == 125500µµAA 10 Vpac il 1.0 IIDD == 11..00AmA y T 0.5 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 350 J) I m D y( 300 TOP 0.98A g er 1.23A n E 250 BOTTOM 11A e h c an 200 al v A e 150 s ul P e 100 gl n Si , S 50 A E 0 25 50 75 100 125 150 Starting T , Junction Temperature (°C) J Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 210KK S Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 15a. Gate Charge Test Circuit Fig 15b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS (cid:1)R(cid:1)(cid:2)G D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:9)(cid:2) VDS (cid:8) (cid:2)(cid:3) 90% (cid:8) (cid:22)(cid:3) (cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:11) (cid:9) (cid:22) +(cid:8) - (cid:2)(cid:2) (cid:8) 10% (cid:22)(cid:3) (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) VGS (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 % td(on) tr td(off) tf Fig 17a. Switching Time Test Circuit Fig 17b. Switching Time Waveforms 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:27)(cid:27)(cid:27) (cid:3) (cid:23)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9) (cid:9)•(cid:9)(cid:9) (cid:9) (cid:23)(cid:24)(cid:20)(cid:5)(cid:26)(cid:21)(cid:21)(cid:9)(cid:8)(cid:24)(cid:25)(cid:8)(cid:13)(cid:18)(cid:9)(cid:30)(cid:28)(cid:21)(cid:18)(cid:18)(cid:29)(cid:25)(cid:8)(cid:7)(cid:9)(cid:31)(cid:27)(cid:20)(cid:25)(cid:21)(cid:12) (cid:5)(cid:8)(cid:19)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt (cid:27) VDD (cid:8) (cid:9)(cid:22) •• (cid:2)(cid:12)!(cid:21)"(cid:11)!(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:9)(cid:21)(cid:19)(cid:9)(cid:7)(cid:20)(cid:18)(cid:25) (cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:16)(cid:12)%(cid:9)(cid:8)#(cid:9)(cid:16)(cid:18)(cid:9)(cid:7)$(cid:9)(cid:1)(cid:2)&’&(cid:30)& (cid:27)(cid:27)(cid:2)(cid:2) + RVoel-tAapgpelied Body Diode Forward Drop • (cid:27)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - Inductor Curent • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)!(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:27)(cid:1)(cid:12)(cid:6)(cid:5)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:10)(cid:17)(cid:20)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:30)(cid:5)(cid:28)(cid:6)(cid:31)(cid:17)(cid:5) (cid:5)(cid:29)(cid:4)(cid:6) (cid:27)(cid:27)(cid:27)(cid:1)(cid:8) (cid:1)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:1)(cid:18)(cid:5)(cid:22)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:10)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:6) (cid:22)(cid:3) (cid:27)(cid:27)(cid:1)(cid:9)(cid:5)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:6)(cid:5)(cid:1)(cid:24)(cid:3)(cid:23)(cid:28)(cid:17)(cid:20)(cid:4)!(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23) Fig 18. (cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:10)(cid:15)(cid:14)(cid:3)(cid:20)(cid:14)(cid:21)(cid:14)(cid:22)(cid:23)(cid:14)(cid:3)(cid:20)(cid:14)(cid:24)(cid:10)(cid:21)(cid:14)(cid:22)(cid:25)(cid:3)(cid:26)(cid:14)(cid:23)(cid:13)(cid:3)(cid:17)(cid:19)(cid:22)(cid:24)(cid:11)(cid:19)(cid:13)(cid:3)for HEXFET(cid:1) Power MOSFETs (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:10)(cid:7)(cid:12)(cid:12)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4) (cid:1) (cid:23)(cid:18)(cid:4)(cid:14)(cid:2)(cid:21)(cid:24)(cid:10)(cid:25)(cid:2)(cid:26)(cid:4)(cid:10)(cid:27)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:19)(cid:28)(cid:1)(cid:4)(cid:29)(cid:2)(cid:30)(cid:16)(cid:13)(cid:6)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:31) (cid:1)(cid:28)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:14)(cid:3)(cid:23)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:13)(cid:29)(cid:30)(cid:26)(cid:3)(cid:16)(cid:31)(cid:31)(cid:28)(cid:19)(cid:24)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:10)(cid:12)(cid:3)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:3) !(cid:4)(cid:7)"(cid:8)#(cid:3)$(cid:10)(cid:22)(cid:3)(cid:16)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:13)(cid:16)(cid:19)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:22)(cid:14)%(cid:16)(cid:22)(cid:15)(cid:19)(cid:12)%(cid:3)(cid:13)&(cid:14)(cid:3)(cid:16)(cid:23)(cid:23)(cid:14)’((cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:10)$(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:13)(cid:29)(cid:30)(cid:26)) (cid:26)&(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:19)(cid:12)(cid:24)(cid:28)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:23)(cid:3)(cid:16)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:10)’’(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:10)(cid:12)(cid:23)(cid:3)$(cid:10)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:24)(cid:19)(cid:28)(cid:3)(cid:16)(cid:12)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:23)(cid:11)((cid:23)(cid:13)(cid:22)(cid:16)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:23)(cid:19)%(cid:12)(cid:23)) G = GATE D= DRAIN S = SOURCE D D S G S D D www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:1)(cid:2)(cid:24)(cid:4)(cid:16)(cid:29)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4) (cid:1) (cid:23)(cid:18)(cid:4)(cid:14)(cid:2)(cid:21)(cid:24)(cid:10)(cid:25)(cid:2)(cid:26)(cid:4)(cid:10)(cid:27)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:19)(cid:28)(cid:1)(cid:4)(cid:29)(cid:2)(cid:30)(cid:16)(cid:13)(cid:6)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:31) (cid:1)(cid:28)(cid:14)(cid:16)(cid:23)(cid:14)(cid:3)(cid:23)(cid:14)(cid:14)(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:13)(cid:29)(cid:30)(cid:26)(cid:3)(cid:16)(cid:31)(cid:31)(cid:28)(cid:19)(cid:24)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:10)(cid:12)(cid:3)(cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:14)(cid:3) !(cid:4)(cid:7)"(cid:8)#(cid:3)$(cid:10)(cid:22)(cid:3)(cid:16)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:13)(cid:16)(cid:19)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:22)(cid:14)%(cid:16)(cid:22)(cid:15)(cid:19)(cid:12)%(cid:3)(cid:13)&(cid:14)(cid:3)(cid:16)(cid:23)(cid:23)(cid:14)’((cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:10)$(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:13)(cid:29)(cid:30)(cid:26))(cid:3)(cid:26)&(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:19)(cid:12)(cid:24)(cid:28)(cid:11)(cid:15)(cid:14)(cid:23) (cid:16)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:14)(cid:24)(cid:10)’’(cid:14)(cid:12)(cid:15)(cid:16)(cid:13)(cid:19)(cid:10)(cid:12)(cid:23)(cid:3)$(cid:10)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:13)(cid:14)(cid:12)(cid:24)(cid:19)(cid:28)(cid:3)(cid:16)(cid:12)(cid:15)(cid:3)(cid:3)(cid:23)(cid:11)((cid:23)(cid:13)(cid:22)(cid:16)(cid:13)(cid:14)(cid:3)(cid:15)(cid:14)(cid:23)(cid:19)%(cid:12)(cid:23)) DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MAX MAX A 6.25 6.35 0.246 0.250 B 4.80 5.05 1.889 0.199 C 3.85 3.95 0.152 0.156 D 0.35 0.45 0.014 0.018 E 0.58 0.62 0.023 0.032 F 0.58 0.62 0.023 0.032 G 0.75 0.79 0.030 0.031 H 0.53 0.57 0.021 0.022 J 0.63 0.67 0.025 0.026 K 1.59 1.72 0.063 0.068 L 2.87 3.04 0.113 0.119 M 0.616 0.676 0.0235 0.0274 R 0.020 0.080 0.0008 0.0031 P 0.08 0.17 0.003 0.007 (cid:1) DirectFET Part Marking GATE MARKING LOGO PART NUMBER BATCH NUMBER DATE CODE Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:3) (cid:1) DirectFET Tape & Reel Dimension (Showing component orientation). NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6722MTRPBF). For 1000 parts on 7" reel, order IRF6722MTR1PBF REEL DIMENSIONS STANDARD OPTION (QTY 4800) TR1 OPTION (QTY 1000) METRIC IMPERIAL METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX A 330.0 N.C 12.992 N.C 177.77 N.C 6.9 N.C B 20.2 N.C 0.795 N.C 19.06 N.C 0.75 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 13.5 12.8 0.53 0.50 D 1.5 N.C 0.059 N.C 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C 58.72 N.C 2.31 N.C F N.C 18.4 N.C 0.724 N.C 13.50 N.C 0.53 G 12.4 14.4 0.488 0.567 11.9 12.01 0.47 N.C H 11.9 15.4 0.469 0.606 11.9 12.01 0.47 N.C LOADED TAPE FEED DIRECTION DIMENSIONS METRIC IMPERIAL NOTE: CONTROLLING DIMENSIONS IN MM CODE MIN MAX MIN MAX A 7.90 8.10 0.311 0.319 B 3.90 4.10 0.154 0.161 C 11.90 12.30 0.469 0.484 D 5.45 5.55 0.215 0.219 E 5.10 5.30 0.201 0.209 F 6.50 6.70 0.256 0.264 G 1.50 N.C 0.059 N.C H 1.50 1.60 0.059 0.063 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.11/2007 www.irf.com 9