(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:10) IRF6718L2TRPbF IRF6718L2TR1PbF DirectFET(cid:2)(cid:2)Power MOSFET (cid:2) (cid:2) RoHS Compliant Containing No Lead and Bromide (cid:2) (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:8)(cid:9)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:15)(cid:12)(cid:16)(cid:9)(cid:13)(cid:14)(cid:14)(cid:10)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:14)(cid:13)(cid:10)(cid:14)(cid:5)(cid:13)(cid:7)(cid:6)(cid:22)(cid:6)(cid:13)(cid:23)(cid:24) (cid:2) Dual Sided Cooling Compatible (cid:2) V V R R DSS GS DS(on) DS(on) (cid:2) Ultra Low Package Inductance 25V max ±20V max 0.50mΩ@10V 1.0mΩ@4.5V (cid:2) Very Low R for Reduced Conduction Losses DS(ON) Q Q Q Q Q V (cid:2)Optimized for Active O-Ring / Efuse Applications g tot gd gs2 rr oss gs(th) (cid:2) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:2) 64nC 20nC 9.4nC 67nC 50nC 1.9V (cid:2)(cid:3) DirectFET(cid:2) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (cid:2) S1 S2 SB M2 M4 L4 L6 L8 Description The IRF6718L2TRPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFET® packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a D-pak. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems. The IRF6718L2TRPbF has extremely low Si Rdson coupled with ultra low package resistance to minimize conduction losses. The IRF6718L2TRPbF has been optimized for parameters that are critical in reliable operation on Active O-Ring / Efuse / hot swap applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 25 V DS V Gate-to-Source Voltage ±20 GS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 61 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 52 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:2) 270 IDM Pulsed Drain Current (cid:3) 490 EAS Single Pulse Avalanche Energy (cid:4) 530 mJ I Avalanche Current(cid:5)(cid:3) 49 A AR 4 V) 14.0 Ωm) 3 ID = 61A ogea(t l 1102..00 ID= 49A VDS= 20V ( )n Ve VDS= 13V o c 8.0 S( 2 ur D o Rpac ilTy 1 T = 25°C TJ = 125°C GSaeo--tt 246...000 J , S 0 G 0.0 V 2 4 6 8 10 0 20 40 60 80 100 120 140 160 180 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 1. Typical On-Resistance vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage (cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8) (cid:2) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:5) TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:3) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:7) Starting TJ = 25°C, L = 0.44mH, RG = 25Ω, IAS = 49A. www.irf.com 1 07/27/11

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 25 ––– ––– V V = 0V, I = 250μA DSS GS D ΔΒV /ΔT Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 11 ––– mV/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 0.50 0.70 mΩ VGS = 10V, ID = 61A (cid:3) ––– 1.0 1.4 V = 4.5V, I = 49A (cid:3) GS D V Gate Threshold Voltage 1.35 1.90 2.35 V V = V , I = 150μA GS(th) DS GS D ΔV /ΔT Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -7.6 ––– mV/°C GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 μA V = 20V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 V = 20V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 820 ––– ––– S V = 13V, I = 49A DS D Q Total Gate Charge ––– 64 96 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 18 ––– V = 13V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 9.4 ––– nC V = 4.5V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 20 ––– I = 49A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 16.6 ––– See Fig. 18 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 29.4 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 50 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 0.90 ––– Ω G t Turn-On Delay Time ––– 67 ––– V = 13V, V = 4.5V(cid:0)(cid:3) d(on) DD GS t Rise Time ––– 140 ––– ns I = 49A r D t Turn-Off Delay Time ––– 47 ––– R = 6.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 53 ––– f C Input Capacitance ––– 8910 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 2310 ––– pF V = 13V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 1115 ––– ƒ = 1.0MHz rss Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current ––– ––– 61 MOSFET symbol S (Body Diode) A showing the I Pulsed Source Current ––– ––– 490 integral reverse SM (Body Diode)(cid:0)(cid:2) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V T = 25°C, I = 49A, V = 0V (cid:3) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 39 59 ns T = 25°C, I = 49A rr J F Q Reverse Recovery Charge ––– 67 100 nC di/dt = 200A/μs (cid:3) rr (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:6)(cid:2)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:8) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2%. 2 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:0) 4.3 W P @T = 70°C Power Dissipation (cid:0) 3.0 D A PD @TC = 25°C Power Dissipation (cid:2) 83 T Peak Soldering Temperature 270 °C P TJ Operating Junction and -55 to + 175 T Storage Temperature Range STG Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJA Junction-to-Ambient (cid:0) ––– 35 RθJA Junction-to-Ambient (cid:3) 12.5 ––– RθJA Junction-to-Ambient (cid:4) 20 ––– °C/W RθJC Junction-to-Case (cid:2)(cid:5) ––– 1.8 RθJ-PCB Junction-to-PCB Mounted 1.0 ––– Linear Derating Factor (cid:0)(cid:6) 0.029 W/°C 100 D = 0.50 10 0.20 )A 0.10 hJ 0.05 Z t 1 0.02 mReaeponessr( l 00.0.11 0.01 τJτJτ1Cτ1iC= iτ=i /τRi/iRR1iR1 τ2τR22R2 Rτ33Rτ33 τR4τ4R44τAτAR1126i 24..(02..°2470C9228/4465W2659 ) 1200 8...τ602.i 1203(0679s6883e7211c9414) h T0.001 SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc 0.0001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 1000 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:2) (At lower pulse widths Zth & Zth are combined) JA JC (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9) (cid:4)(cid:2)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:10) Mounted on minimum footprint full size board with metalized (cid:5) T measured with thermocouple incontact with top (Drain) of part. back and with small clip heatsink. (cid:9) UsCed double sided cooling, mounting pad with large heatsink. (cid:11) Rθ is measured at (cid:2)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:3)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:6)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:16)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:20) (cid:3)(cid:4)Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:5)(cid:4)Mounted on minimum footprint full size board with metalized board (still air). back and with small clip heatsink. (still air) www.irf.com 3

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V Aen() t 100 4433....5050VVVV Ane()t 4433....5050VVVV Curr BOTTOM 22..85VV Curr BOTTOM 22..85VV e e ucr 10 ucr100 o o S S o- o- n-t n-t ai ai Dr 1 Dr , D , D I 2.5V ≤60μs PULSE WIDTH I 2.5V ≤60μs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 175°C 0.1 10 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 1000 2.0 VDS = 15V ID = 61A ≤60μs PULSE WIDTH A() ent 100 edaz)li VVGGSS == 41.05VV Curr mor 1.5 uecr 10 N(n) o o So- TJ = 175°C DS( an-ti TJ = 25°C Ra l 1.0 Dr 1 TJ = -40°C pci ,D Ty I 0.1 0.5 1 2 3 4 5 -60-40-20 0 20 40 60 80100120140160180 T , Junction Temperature (°C) V , Gate-to-Source Voltage (V) J GS Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100000 0.90 VGS = 0V, f = 1 MHZ Top Vgs = 6.0V T = 25°C Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED VVggss == 81.00VV J C = C Vgs = 12V rss gd Vgs = 14V Coss = Cds + Cgd 0.80 B o t t o m V Vggss = = 1 186VV Ω) Fepc() 10000 Ciss mn)( ancti Coss o(DS 0.70 a R Cap Crss ac l C, 1000 pyi T 0.60 100 0.50 1 10 100 0 50 100 150 200 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 9. Typical On-Resistance vs. Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Drain Current and Gate Voltage 4 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY R (on) A) TJ = 175°C A) 1000 DS n(t 100 TJ = 25°C n( t uerr TJ = -40°C uerr 1msec 100μsec C C 100 n e 10msec Dari 10 oucr DC e S evsr on--t 10 Re ,DS 1 Dar ,iD 1 TC = 25°C I V = 0V I TJ = 175°C GS Single Pulse 0 0.1 0.0 0.2 0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 0 1 10 100 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig 11. Maximum Safe Operating Area 300 3.0 V) e( 250 ag 2.5 otl V An()t 200 hods l 2.0 e e Curr 150 ehr t 1.5 n at ai G ID = 150μA DrI,D 100 GSh()t 1.0 IIDD == 215.00mμAA V 50 a l 0.5 ID = 1.0A c pi y T 0.0 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100125150175200 25 50 75 100 125 150 175 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 400 2400 mJ) ID S) y( 2000 TOP 2.9A anecc(t 300 TJ = 25°C Eenegr 1600 BOTTOM44.96AA u h d c n n o a c al ns 200 Av1200 Tdar TJ = 175°C ues l war Pe 800 or 100 gl F n G, sf V(cid:0)D 3S8 0=μ 1s0 PVU LSE WIDTH S, iS 400 A E 0 0 0 20 40 60 80 100 25 50 75 100 125 150 175 ID,Drain-to-Source Current (A) Starting TJ , Junction Temperature (°C) Fig 14. Typ. Forward Transconductance vs. Drain Current Fig 15. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current www.irf.com 5

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) 1000 Allowed avalanche Current vs avalanche Duty Cycle = Single Pulse pulsewidth, tav, assuming DTj = 150°C and 100 Tstart =25°C (Single Pulse) A) n(t e 10 urr 0.01 C e h nc 1 0.05 a al 0.10 v A 0.1 Allowed avalanche Current vs avalanche pulsewidth, tav, assuming ΔTj = 25°C and Tstart = 150°C. 0.01 1.0E-06 1.0E-05 1.0E-04 1.0E-03 1.0E-02 1.0E-01 1.0E+00 1.0E+01 tav (sec) Fig 16. Typical Avalanche Current vs.Pulsewidth 600 Notes on Repetitive Avalanche Curves , Figures 16, 17: Single Pulse (For further info, see AN-1005 at www.irf.com) 1. Avalanche failures assumption: I = 49A D 500 Purely a thermal phenomenon and failure occurs at a mJ) temperature far in excess of Tjmax. This is validated for y( every part type. g 400 2. Safe operation in Avalanche is allowed as long asT is er jmax n not exceeded. E e 3. Equation below based on circuit and waveforms shown in hc 300 Figures 19a, 19b. anavl 4 . PavDa (laavne)c =h eA pveurlsaeg.e power dissipation per single A, R 200 5 . BvoVlt a=g Rea intecdre barseea kdduoriwnng vaovlatalagnec h(1e.)3. factor accounts for A E 100 6. Iav = Allowable avalanche current. 7. ΔT = Allowable rise in junction temperature, not to exceed T (assumed as 25°C in Figure 16, 17). jmax 0 tav = Average time in avalanche. D = Duty cycle in avalanche = t ·f 25 50 75 100 125 150 175 av Z (D, t ) = Transient thermal resistance, see figure 11) thJC av Starting TJ , Junction Temperature (°C) P = 1/2 ( 1.3·BV·I ) =(cid:10)(cid:2)T/ Z D (ave) av thJC Fig 17. Maximum Avalanche Energy I =2(cid:2)T/ [1.3·BV·Z ] av th vs. Temperature E = P ·t AS (AR) D (ave) av 6 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 Vgs(th) 210KK S Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 18a. Gate Charge Test Circuit Fig 18b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS RG D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 19a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 19b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:10) (cid:2) (cid:9)(cid:2)(cid:3) V GS 90% (cid:9) (cid:22)(cid:3) (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14)(cid:12) (cid:10) (cid:22) +(cid:9) - (cid:2)(cid:2) 10% (cid:9)(cid:15)(cid:22)(cid:16)(cid:3)(cid:9) V DS (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 % td(off) tf td(on) tr Fig 20a. Switching Time Test Circuit Fig 20b. Switching Time Waveforms www.irf.com 7

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) Driver Gate Drive (cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:12)(cid:14) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:25) (cid:4) (cid:25)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:26)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:25)(cid:20)(cid:24)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:24)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:26)(cid:20)(cid:27)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:23)(cid:24)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:24)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:24)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:24)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:26)(cid:20)(cid:27)(cid:9)(cid:26)(cid:8)(cid:18)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:23)(cid:24)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:24)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:25)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:24)(cid:13)(cid:9)(cid:30)(cid:21)(cid:18)(cid:24)(cid:7)(cid:31)(cid:20)(cid:21) (cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:3) Reverse (cid:5) Recovery Body Diode Forward - + Current Current - di/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:2) dv/dt VDD (cid:9) (cid:10)(cid:22) • (cid:12)(cid:11)!(cid:12)(cid:13)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:24)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)"(cid:16)(cid:9)#(cid:2) (cid:2)(cid:2) Re-Applied • (cid:2)(cid:21)(cid:11)$(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:7)(cid:18) (cid:8)(cid:9)(cid:13)(cid:16)%(cid:8)(cid:9)(cid:18)(cid:7)(cid:9)(cid:2)&’&(cid:30)& + Voltage Body Diode Forward Drop • (cid:23)(cid:3)(cid:4)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:24)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)"(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - (cid:23)I(cid:24)n(cid:12)d(cid:5)uc(cid:19)t(cid:13)o(cid:20)r(cid:21) (cid:9)C(cid:25)u(cid:5)r(cid:21)e(cid:21)n(cid:8)t(cid:24)(cid:13) • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)$(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:24)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:25)(cid:2)(cid:9) (cid:2)(cid:17)(cid:2)(cid:18)(cid:9)(cid:2)(cid:19)(cid:4)(cid:20)(cid:2)(cid:21)(cid:4)(cid:22)(cid:23)(cid:24)(cid:2)(cid:21)(cid:6)(cid:25)(cid:6)(cid:26)(cid:2)(cid:11)(cid:6)(cid:25)(cid:23)(cid:24)(cid:6)(cid:7) (cid:22)(cid:3) Fig 19. (cid:3)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:18)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:14)(cid:19)(cid:12)(cid:16)(cid:14)(cid:17)(cid:20)(cid:4)(cid:21)(cid:14)(cid:18)(cid:22)(cid:4)(cid:23)(cid:11)(cid:17)(cid:19)(cid:24)(cid:11)(cid:22)(cid:4)for N-Channel HEXFET(cid:2)(cid:4)Power MOSFETs (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:4)(cid:15)(cid:11)(cid:8)(cid:13)(cid:13)(cid:7)(cid:16)(cid:4)(cid:3)(cid:17)(cid:7)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:14)(cid:4)(cid:22)(cid:5)(cid:11)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:5)(cid:11)(cid:25)(cid:14)(cid:17)(cid:26)(cid:27) (cid:2) Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations G = GATE D = DRAIN S = SOURCE D D S S S D G D S S S D D 8 www.irf.com

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:2)(cid:11)(cid:28)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:3)(cid:17)(cid:5)(cid:11)(cid:2)(cid:3)(cid:31)(cid:5)(cid:17) (cid:3)(cid:13)(cid:17)(cid:18)(cid:11)(cid:19)(cid:20)(cid:11)(cid:28)(cid:29)(cid:7)(cid:30)(cid:3)(cid:17)(cid:5)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:14)(cid:4)(cid:22)(cid:5)(cid:23)(cid:3)(cid:24)(cid:5)(cid:11)(cid:25)(cid:14)(cid:17)(cid:26)(cid:27) (cid:2) Please see AN-1035 for DirectFET assembly details and stencil and substrate design recommendations DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 9.05 9.15 0.356 0.360 B 6.85 7.10 0.270 0.280 C 5.90 6.00 0.232 0.236 D 0.55 0.65 0.022 0.026 E 0.58 0.62 0.023 0.024 F 1.18 1.22 0.046 0.048 G 0.98 1.02 0.015 0.017 H 0.73 0.77 0.029 0.030 J 0.38 0.42 0.015 0.017 K 1.34 1.47 0.053 0.058 L 2.52 2.69 0.099 0.106 M 0.616 0.676 0.0235 0.0274 N 0.020 0.080 0.0008 0.0031 P 0.09 0.18 0.003 0.007 (cid:2) DirectFET Part Marking GATE MARKING LOGO PART NUMBER BATCH NUMBER DATE CODE Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" www.irf.com 9

(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:3)(cid:12)(cid:11)(cid:3)(cid:7)(cid:13)(cid:14)(cid:4) (cid:2) DirectFET Tape & Reel Dimension (Showing component orientation). (cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:0)(cid:14)(cid:10)(cid:2)(cid:0)(cid:14) NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel (cid:13)(cid:4)(cid:3)(cid:8)(cid:10)(cid:7) (cid:10)(cid:13)(cid:19)(cid:4)(cid:8)(cid:10)(cid:15)(cid:9) (cid:0)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:2)(cid:0)(cid:3)(cid:8)(cid:2)(cid:9)(cid:9)(cid:10)(cid:0)(cid:11)(cid:6) quantity is 4000 parts. (ordered as IRF6718L2PBF). (cid:12)(cid:10)(cid:13)(cid:4)(cid:0)(cid:14)(cid:10)(cid:2)(cid:0)(cid:14)(cid:6)(cid:10)(cid:0)(cid:6)(cid:13)(cid:13) (cid:7)(cid:2)(cid:12)(cid:4) (cid:6)(cid:13)(cid:10)(cid:0) (cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:31) (cid:6)(cid:13)(cid:10)(cid:0) (cid:6)(cid:13)(cid:15)(cid:31) (cid:6)(cid:15) (cid:25)(cid:25)(cid:21)(cid:24)(cid:20) (cid:25)(cid:28)(cid:21)(cid:25)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:24) (cid:20)(cid:21)(cid:22)(cid:27)(cid:23) REEL DIMENSIONS (cid:6)(cid:16) (cid:6)(cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:20) (cid:0) (cid:7) (cid:20)(cid:21)(cid:25)(cid:26)(cid:27) (cid:0) (cid:7) (cid:6)(cid:7) (cid:25)(cid:26)(cid:21)(cid:24)(cid:20) (cid:25)(cid:23)(cid:21)(cid:29)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:23)(cid:28)(cid:29) (cid:20)(cid:21)(cid:23)(cid:22)(cid:28) STANDARD OPTION (QTY 4000) (cid:6)(cid:12) (cid:6)(cid:27)(cid:21)(cid:22)(cid:20) (cid:6)(cid:27)(cid:21)(cid:23)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:28)(cid:24)(cid:25) (cid:20)(cid:21)(cid:28)(cid:24)(cid:24) METRIC IMPERIAL (cid:6)(cid:4) (cid:6)(cid:27)(cid:21)(cid:28)(cid:20) (cid:6)(cid:27)(cid:21)(cid:22)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:28)(cid:30)(cid:29) (cid:20)(cid:21)(cid:28)(cid:24)(cid:25) CODE MIN MAX MIN MAX (cid:6)(cid:17) (cid:6)(cid:24)(cid:21)(cid:29)(cid:20) (cid:6)(cid:24)(cid:21)(cid:26)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:29)(cid:23)(cid:23) (cid:20)(cid:21)(cid:29)(cid:27)(cid:22) A 330.0 N.C 12.992 N.C (cid:6)(cid:11) (cid:6)(cid:25)(cid:21)(cid:26)(cid:20) (cid:6)(cid:0) (cid:7) (cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:26)(cid:24) (cid:0) (cid:7) (cid:6)(cid:18) (cid:6)(cid:25)(cid:21)(cid:26)(cid:20) (cid:6)(cid:25)(cid:21)(cid:23)(cid:20) (cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:26)(cid:24) (cid:20)(cid:21)(cid:20)(cid:23)(cid:29) B 20.2 N.C 0.795 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 D 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C F N.C 22.4 N.C 0.889 G 16.4 18.4 0.646 0.724 H 15.9 18.4 0.626 0.724 Note: For the most current drawing please refer to IR website at http://www.irf.com/package Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified to MSL1 rating for the Consumer market. (cid:2)(cid:3)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:5)(cid:6)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:14)(cid:10)(cid:12)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:4)(cid:12)(cid:14)(cid:17)(cid:14)(cid:7)(cid:5)(cid:10)(cid:3)(cid:14)(cid:5)(cid:8)(cid:4)(cid:9)(cid:11)(cid:10)(cid:18)(cid:6)(cid:12)(cid:10)(cid:19)(cid:4)(cid:12)(cid:14)(cid:20)(cid:5)(cid:21)(cid:22)(cid:23)(cid:10)(cid:24)(cid:12)(cid:6)(cid:3)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:11)(cid:10)(cid:20)(cid:8)(cid:7)(cid:10)(cid:25)(cid:14)(cid:10)(cid:18)(cid:6)(cid:16)(cid:7)(cid:3)(cid:10)(cid:4)(cid:7)(cid:10)(cid:8)(cid:24)(cid:24)(cid:9)(cid:4)(cid:20)(cid:8)(cid:5)(cid:4)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:7)(cid:6)(cid:5)(cid:14)(cid:10)(cid:2)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:30)(cid:10)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:31) !(cid:11)(cid:10)"(cid:14)(cid:25)(cid:10)(cid:11)(cid:4)(cid:5)(cid:14)# Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 101 N. Sepulveda Blvd., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information. 07/2011 10 www.irf.com

Mouser Electronics Authorized Distributor Click to View Pricing, Inventory, Delivery & Lifecycle Information: I nfineon: IRF6718L2TRPBF