(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:3)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:7)(cid:8)(cid:9) IRF6715MPbF IRF6715MTRPbF DirectFET(cid:1)(cid:1)Power MOSFET (cid:1) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:6)(cid:7)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:10)(cid:14)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:12)(cid:8)(cid:15)(cid:16)(cid:17)(cid:11)(cid:18)(cid:19)(cid:4)(cid:12)(cid:11)(cid:8)(cid:12)(cid:3)(cid:11)(cid:5)(cid:4)(cid:20)(cid:4)(cid:11)(cid:21)(cid:22) (cid:1) RoHs Compliant and Halogen Free(cid:1) V V R R (cid:1) Low Profile (<0.6 mm) DSS GS DS(on) DS(on) 25V max ±20V max 1.3mΩ@ 10V 2.1mΩ@ 4.5V (cid:1) Dual Sided Cooling Compatible (cid:1) (cid:1) Ultra Low Package Inductance Qg tot Qgd Qgs2 Qrr Qoss Vgs(th) (cid:1) Optimized for High Frequency Switching (cid:1) 40nC 12.0nC 5.3nC 37nC 26nC 1.9V (cid:1) Ideal for CPU Core DC-DC Converters (cid:1) Optimized for Sync. FET socket of Sync. Buck Converter(cid:1) (cid:1) Low Conduction and Switching Losses (cid:1) Compatible with existing Surface Mount Techniques (cid:1) (cid:1) 100% Rg tested (cid:1)(cid:2) DirectFET(cid:1) ISOMETRIC Applicable DirectFET Outline and Substrate Outline (see p.7,8 for details)(cid:1) SQ SX ST MQ MX MT MP Description The IRF6715MPbF combines the latest HEXFET® Power MOSFET Silicon technology with the advanced DirectFETTM packaging to achieve the lowest on-state resistance in a package that has the footprint of a SO-8 and only 0.6 mm profile. The DirectFET package is compatible with existing layout geometries used in power applications, PCB assembly equipment and vapor phase, infra-red or convection soldering techniques, when application note AN-1035 is followed regarding the manufacturing methods and processes. The DirectFET package allows dual sided cooling to maximize thermal transfer in power systems, improving previous best thermal resistance by 80%. The IRF6715MPbF balances both low resistance and low charge along with ultra low package inductance to reduce both conduction and switching losses. The reduced total losses make this product ideal for high efficiency DC-DC converters that power the latest generation of processors operating at higher frequencies. The IRF6715MPbF has been optimized for parameters that are critical in synchronous buck including Rds(on), gate charge and Cdv/dt-induced turn on immunity. The IRF6715MPbF offers particularly low Rds(on) and high Cdv/dt immunity for synchronous FET applications. Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Drain-to-Source Voltage 25 DS V V Gate-to-Source Voltage ±20 GS ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 34 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:0) 27 A ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (cid:1) 180 I Pulsed Drain Current (cid:2) 270 DM E Single Pulse Avalanche Energy (cid:3) 200 mJ AS IAR Avalanche Current(cid:4)(cid:2) 27 A 4 V) 14.0 Ω) ID = 34A age( 12.0 ID= 27A VDS= 20V m( n) 3 Veo tl 10.0 VDS= 13V o c 8.0 S( 2 ur D o R Tpaycil 1 TJ = 25°C TJ = 125°C GSaeo--, ttS 246...000 0 G 0.0 V 2 4 6 8 10 12 14 16 18 20 0 20 40 60 80 100 120 VGS, Gate -to -Source Voltage (V) QG Total Gate Charge (nC) Fig 1. Typical On-Resistance Vs. Gate Voltage Fig 2. Typical Total Gate Charge vs Gate-to-Source Voltage (cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7) (cid:1) Click on this section to link to the appropriate technical paper. (cid:4) TC measured with thermocouple mounted to top (Drain) of part. (cid:2) Click on this section to link to the DirectFET Website. (cid:5)(cid:1)Repetitive rating; pulse width limited by max. junction temperature. (cid:3)(cid:1)Surface mounted on 1 in. square Cu board, steady state. (cid:6) Starting TJ = 25°C, L = 0.56mH, RG = 25Ω, IAS = 27A. www.irf.com 1 02/16/11

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Static @ T = 25°C (unless otherwise specified) J Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions BV Drain-to-Source Breakdown Voltage 25 ––– ––– V V = 0V, I = 250µA DSS GS D ∆ΒV /∆T Breakdown Voltage Temp. Coefficient ––– 17 ––– mV/°C Reference to 25°C, I = 1mA DSS J D RDS(on) Static Drain-to-Source On-Resistance ––– 1.3 1.6 mΩ VGS = 10V, ID = 34A (cid:2) ––– 2.1 2.7 V = 4.5V, I = 27A (cid:2) GS D V Gate Threshold Voltage 1.4 1.9 2.4 V GS(th) V = V , I = 100µA ∆V /∆T Gate Threshold Voltage Coefficient ––– -6.2 ––– mV/°C DS GS D GS(th) J I Drain-to-Source Leakage Current ––– ––– 1.0 µA V = 20V, V = 0V DSS DS GS ––– ––– 150 V = 20V, V = 0V, T = 125°C DS GS J I Gate-to-Source Forward Leakage ––– ––– 100 nA V = 20V GSS GS Gate-to-Source Reverse Leakage ––– ––– -100 V = -20V GS gfs Forward Transconductance 135 ––– ––– S V = 13V, I = 27A DS D Q Total Gate Charge ––– 40 59 g Q Pre-Vth Gate-to-Source Charge ––– 12 ––– V = 13V gs1 DS Q Post-Vth Gate-to-Source Charge ––– 5.3 ––– nC V = 4.5V gs2 GS Q Gate-to-Drain Charge ––– 12 ––– I = 27A gd D Q Gate Charge Overdrive ––– 11 ––– See Fig. 15 godr Q Switch Charge (Q + Q ) ––– 17 ––– sw gs2 gd Q Output Charge ––– 26 ––– nC V = 16V, V = 0V oss DS GS R Gate Resistance ––– 1.1 2.0 Ω G t Turn-On Delay Time ––– 20 ––– V = 13V, V = 4.5V(cid:0)(cid:2) d(on) DD GS t Rise Time ––– 31 ––– ns I = 27A r D t Turn-Off Delay Time ––– 16 ––– R = 1.8Ω d(off) G t Fall Time ––– 12 ––– See Fig. 17 f C Input Capacitance ––– 5340 ––– V = 0V iss GS C Output Capacitance ––– 1280 ––– pF V = 13V oss DS C Reverse Transfer Capacitance ––– 600 ––– ƒ = 1.0MHz rss Diode Characteristics Parameter Min. Typ. Max. Units Conditions I Continuous Source Current MOSFET symbol S ––– ––– 98 (Body Diode) showing the A I Pulsed Source Current integral reverse SM ––– ––– 270 (Body Diode)(cid:0)(cid:1) p-n junction diode. V Diode Forward Voltage ––– ––– 1.0 V T = 25°C, I = 27A, V = 0V (cid:2) SD J S GS t Reverse Recovery Time ––– 28 42 ns T = 25°C, I = 27A rr J F Q Reverse Recovery Charge ––– 37 56 nC di/dt = 200A/µs (cid:2) rr (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:7) Pulse width ≤ 400µs; duty cycle ≤ 2% 2 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units PD @TA = 25°C Power Dissipation (cid:0) 2.8 P @T = 70°C Power Dissipation (cid:0) 1.8 W D A PD @TC = 25°C Power Dissipation (cid:1) 78 T Peak Soldering Temperature 270 P TJ Operating Junction and -40 to + 150 °C T Storage Temperature Range STG Thermal Resistance Parameter Typ. Max. Units RθJA Junction-to-Ambient (cid:0)(cid:2) ––– 45 RθJA Junction-to-Ambient (cid:3)(cid:2) 12.5 ––– RθJA Junction-to-Ambient (cid:4)(cid:2) 20 ––– °C/W RθJC Junction-to-Case (cid:1)(cid:2) ––– 1.6 RθJ-PCB Junction-to-PCB Mounted 1.0 ––– Linear Derating Factor (cid:0)(cid:5) 0.022 W/°C 100 D = 0.50 )A 10 0.20 J 0.10 h Z t 0.05 e( 1 0.02 s n 0.01 po R1R R2R R3R Ri (°C/W) τi (sec) mRaes l 0.1 τJτJτ1τ1 1 τ2τ2 2 τ3τ33 τAτA 22.47.7834 1 00..00503491184 er Ci= τi/Ri 17.387 8.86912 h Ci= τi/Ri T 0.01 SINGLE PULSE Notes: ( THERMAL RESPONSE ) 1. Duty Factor D = t1/t2 2. Peak Tj = P dm x Zthja + Tc 0.001 1E-006 1E-005 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 100 t1 , Rectangular Pulse Duration (sec) Fig 3. Maximum Effective Transient Thermal Impedance, Junction-to-Ambient (cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6) (cid:8) Used double sided cooling , mounting pad with large heatsink. (cid:10) Rθ is measured at TJ of approximately 90°C. (cid:9) Mounted on minimum footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink. (cid:3)(cid:2) Surface mounted on 1 in. square Cu (cid:3)(cid:3)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:15)(cid:16)(cid:3)(cid:14)(cid:11)(cid:3)(cid:17)(cid:3)(cid:1)(cid:9)(cid:18)(cid:3)with (cid:3)(cid:3) Mounted on minimum (still air). small clip heatsink (still air) footprint full size board with metalized back and with small clip heatsink (still air) www.irf.com 3

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 1000 VGS VGS TOP 10V TOP 10V 5.0V 5.0V 100 CAuenrr()t 10 BOTTOM 443322......505085VVVVVV CAunerr()t 100 BOTTOM 443322......505085VVVVVV e e ucr 1 ucr 10 o o S S o- o- an-ti 0.1 na-ti 2.5V Dr 2.5V Dr 1 I ,D 0.01 ≤60µs PULSE WIDTH I, D ≤60µs PULSE WIDTH Tj = 25°C Tj = 150°C 0.001 0.1 0.1 1 10 100 1000 0.1 1 10 100 1000 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 4. Typical Output Characteristics Fig 5. Typical Output Characteristics 1000 2.0 VDS = 15V ID = 34A ≤60µs PULSE WIDTH A) d) ( CSouuneecrrr t 10100 TTTJJJ === 12-45500°°C°CC mNoeaz(rliSon() 1.5 VVGGSS == 41.05VV o- D Danr-ti 1 Rpac il 1.0 , D Ty I 0.1 0.5 1 2 3 4 5 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100120140160 VGS, Gate-to-Source Voltage (V) TJ , Junction Temperature (°C) Fig 6. Typical Transfer Characteristics Fig 7. Normalized On-Resistance vs. Temperature 100000 20 VGS = 0V, f = 1 MHZ T = 25°C Ciss = Cgs + Cgd, Cds SHORTED J C = C Vgs = 3.5V rss gd 16 C = C + C Vgs = 4.0V oss ds gd Fp) 10000 Ωm) VVggss == 45..50VV ec( Ciss n)( 12 Vgs = 8.0V ancti o(DS Vgs = 10V a R Cap Coss ac l 8 C, 1000 Crss Tpyi 4 100 0 1 10 100 0 40 80 120 160 200 VDS, Drain-to-Source Voltage (V) ID, Drain Current (A) Fig 9. Typical On-Resistance Vs. Fig 8. Typical Capacitance vs.Drain-to-Source Voltage Drain Current and Gate Voltage 4 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) 1000 10000 OPERATION IN THIS AREA LIMITED BY RDS(on) 1000 A) A) CDnuaenrr(r t i 11000 TTTJJJ === 21-4550°0°C°CC Couueencr(rr t 10100 110m0µsseecc es So- eevr na-ti 1 DC R, DS 1 Dr ,D0.1 TA = 25°C 10msec I I T = 150°C J VGS = 0V Single Pulse 0 0.01 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1.0 1.1 0.01 0.10 1.00 10.00 100.00 VSD, Source-to-Drain Voltage (V) VDS, Drain-to-Source Voltage (V) Fig 10. Typical Source-Drain Diode Forward Voltage Fig11. Maximum Safe Operating Area 200 3.0 V) 180 e( g 160 aotl 2.5 V Aen()t 112400 ehods l 2.0 Curr 100 ehr t n at ID = 100µA Dari 80 Gh) 1.5 ID = 250µA ,D 60 S(t ID = 1.0mA I VG 1.0 ID = 1.0A 40 a l c 20 pyi T 0.5 0 -75 -50 -25 0 25 50 75 100 125 150 25 50 75 100 125 150 TC , Case Temperature (°C) TJ , Temperature ( °C ) Fig 12. Maximum Drain Current vs. Case Temperature Fig 13. Typical Threshold Voltage vs. Junction Temperature 900 J) I m 800 D y( TOP 2.74A g er 700 3.70A n E BOTTOM 27A e 600 h c n a 500 al v A e 400 s ul P 300 e gl n 200 Si , S 100 A E 0 25 50 75 100 125 150 Starting T , Junction Temperature (°C) J Fig 14. Maximum Avalanche Energy vs. Drain Current www.irf.com 5

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Id Vds Vgs L VCC DUT 0 210KK S Vgs(th) Qgodr Qgd Qgs2 Qgs1 Fig 15a. Gate Charge Test Circuit Fig 15b. Gate Charge Waveform V(BR)DSS 15V tp L DRIVER VDS (cid:1)R(cid:1)(cid:2)G D.U.T + - VDD IAS A 20V tp 0.01Ω IAS Fig 16a. Unclamped Inductive Test Circuit Fig 16b. Unclamped Inductive Waveforms (cid:9) (cid:2) (cid:8)(cid:2)(cid:3) VDS (cid:8) 90% (cid:22)(cid:3) (cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:11)(cid:13)(cid:11) (cid:9) (cid:22) +(cid:8) - (cid:2)(cid:2) (cid:8) (cid:22)(cid:3) 10% (cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:14)(cid:9)≤ 1 (cid:15)(cid:7) (cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)≤ 0.1 % V GS td(on) tr td(off) tf Fig 17a. Switching Time Test Circuit Fig 17b. Switching Time Waveforms 6 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) Driver Gate Drive (cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:8)(cid:10) P.W. Period D = + P.W. Period (cid:27)(cid:27)(cid:27) (cid:3) (cid:23)(cid:11)(cid:21)(cid:19)(cid:5)(cid:11)(cid:13)(cid:9)(cid:24)(cid:18)(cid:16)(cid:20)(cid:5)(cid:13)(cid:9)(cid:23)(cid:20)(cid:25)(cid:7)(cid:11)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:18)(cid:13)(cid:11)(cid:20)(cid:25)(cid:7) VGS=10V • (cid:9)(cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:3)(cid:13)(cid:21)(cid:18)(cid:16)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9) • (cid:22)(cid:21)(cid:20)(cid:5)(cid:25)(cid:12)(cid:9)(cid:4)(cid:6)(cid:18)(cid:25)(cid:8) - (cid:9)(cid:9) • (cid:24)(cid:20)(cid:26)(cid:9)(cid:24)(cid:8)(cid:18)(cid:28)(cid:18)(cid:29)(cid:8)(cid:9)(cid:27)(cid:25)(cid:12)(cid:5)(cid:19)(cid:13)(cid:18)(cid:25)(cid:19)(cid:8) (cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:9)(cid:23)(cid:5)(cid:21)(cid:21)(cid:8)(cid:25)(cid:13)(cid:9)(cid:30)(cid:21)(cid:18)(cid:25)(cid:7)(cid:31)(cid:20)(cid:21) (cid:8)(cid:21) D.U.T. ISDWaveform + (cid:2) Reverse (cid:4) Recovery Body Diode Forward - - + Current Currentdi/dt D.U.T. VDSWaveform Diode Recovery (cid:1) dv/dt (cid:27) VDD (cid:8) (cid:9)(cid:22) •• (cid:2)(cid:12)!(cid:21)"(cid:11)!(cid:12)(cid:8)(cid:13)(cid:9)(cid:21)(cid:19)(cid:9)(cid:7)(cid:20)(cid:18)(cid:25) (cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:8)(cid:6)(cid:9)(cid:6)(cid:13)(cid:8)(cid:16)(cid:12)%(cid:9)(cid:8)#(cid:9)(cid:16)(cid:18)(cid:9)(cid:7)$(cid:9)(cid:1)(cid:2)&’&(cid:30)& (cid:27)(cid:27)(cid:2)(cid:2) + RVoel-tAapgpelied Body Diode Forward Drop • (cid:27)(cid:2)(cid:3)(cid:9)(cid:19)(cid:20)(cid:25)(cid:13)(cid:21)(cid:20)(cid:6)(cid:6)(cid:8)(cid:12)(cid:9)#(cid:16)(cid:9)(cid:2)(cid:5)(cid:13)(cid:16)(cid:9)(cid:17)(cid:18)(cid:19)(cid:13)(cid:20)(cid:21)(cid:9)((cid:2)( - Inductor Curent • (cid:2)&’&(cid:30)&(cid:9))(cid:9)(cid:2)(cid:8)!(cid:11)(cid:19)(cid:8)(cid:9)’(cid:25)(cid:12)(cid:8)(cid:21)(cid:9)(cid:30)(cid:8)(cid:7)(cid:13) Ripple ≤ 5% ISD (cid:27)(cid:1)(cid:12)(cid:6)(cid:5)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:10)(cid:17)(cid:20)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:30)(cid:5)(cid:28)(cid:6)(cid:31)(cid:17)(cid:5) (cid:5)(cid:29)(cid:4)(cid:6) (cid:27)(cid:27)(cid:27)(cid:1)(cid:8) (cid:1)(cid:14)(cid:1)(cid:15)(cid:8)(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:18)(cid:3)(cid:19)(cid:20)(cid:21)(cid:1)(cid:18)(cid:5)(cid:22)(cid:5)(cid:23)(cid:1)(cid:10)(cid:5)(cid:22)(cid:20)(cid:21)(cid:5)(cid:6) (cid:22)(cid:3) (cid:27)(cid:27)(cid:1)(cid:9)(cid:5)(cid:22)(cid:5)(cid:17)(cid:6)(cid:5)(cid:1)(cid:24)(cid:3)(cid:23)(cid:28)(cid:17)(cid:20)(cid:4)!(cid:1)(cid:16)(cid:3)(cid:17)(cid:1)(cid:24)(cid:25)(cid:26)(cid:27)(cid:28)(cid:29)(cid:29)(cid:5)(cid:23) Fig 18. (cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:11)(cid:16)(cid:15)(cid:3)(cid:20)(cid:15)(cid:21)(cid:15)(cid:22)(cid:23)(cid:15)(cid:3)(cid:20)(cid:15)(cid:24)(cid:11)(cid:21)(cid:15)(cid:22)(cid:25)(cid:3)(cid:26)(cid:15)(cid:23)(cid:14)(cid:3)(cid:9)(cid:19)(cid:22)(cid:24)(cid:12)(cid:19)(cid:14)(cid:3)for HEXFET(cid:1) Power MOSFETs (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:11)(cid:12)(cid:13)(cid:3)(cid:14)(cid:10)(cid:7)(cid:12)(cid:12)(cid:6)(cid:15)(cid:3)(cid:2)(cid:16)(cid:6)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4) (cid:1) (cid:23)(cid:18)(cid:4)(cid:14)(cid:2)(cid:21)(cid:24)(cid:10)(cid:25)(cid:2)(cid:26)(cid:4)(cid:10)(cid:27)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:19)(cid:28)(cid:1)(cid:4)(cid:29)(cid:2)(cid:30)(cid:16)(cid:13)(cid:6)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:31) (cid:1)(cid:28)(cid:15)(cid:17)(cid:23)(cid:15)(cid:3)(cid:23)(cid:15)(cid:15)(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:14)(cid:29)(cid:30)(cid:26)(cid:3)(cid:17)(cid:31)(cid:31)(cid:28)(cid:19)(cid:24)(cid:17)(cid:14)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:3)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:3) !(cid:4)(cid:7)"#$(cid:3)%(cid:11)(cid:22)(cid:3)(cid:17)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:14)(cid:17)(cid:19)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:22)(cid:15)&(cid:17)(cid:22)(cid:16)(cid:19)(cid:13)&(cid:3)(cid:14)’(cid:15)(cid:3)(cid:17)(cid:23)(cid:23)(cid:15)()(cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:11)%(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:14)(cid:29)(cid:30)(cid:26)* (cid:26)’(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:19)(cid:13)(cid:24)(cid:28)(cid:12)(cid:16)(cid:15)(cid:23)(cid:3)(cid:17)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:11)(((cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:14)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:23)(cid:3)%(cid:11)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:24)(cid:19)(cid:28)(cid:3)(cid:17)(cid:13)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:23)(cid:12))(cid:23)(cid:14)(cid:22)(cid:17)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:23)(cid:19)&(cid:13)(cid:23)* G = GATE D = DRAIN S = SOURCE D D S G S D D www.irf.com 7

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4)(cid:10)(cid:1)(cid:2)(cid:24)(cid:4)(cid:16)(cid:29)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:18)(cid:19)(cid:10)(cid:20)(cid:21)(cid:6)(cid:22)(cid:2)(cid:16)(cid:4) (cid:1) (cid:23)(cid:18)(cid:4)(cid:14)(cid:2)(cid:21)(cid:24)(cid:10)(cid:25)(cid:2)(cid:26)(cid:4)(cid:10)(cid:27)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:10)(cid:19)(cid:28)(cid:1)(cid:4)(cid:29)(cid:2)(cid:30)(cid:16)(cid:13)(cid:6)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:31) (cid:1)(cid:28)(cid:15)(cid:17)(cid:23)(cid:15)(cid:3)(cid:23)(cid:15)(cid:15)(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:14)(cid:29)(cid:30)(cid:26)(cid:3)(cid:17)(cid:31)(cid:31)(cid:28)(cid:19)(cid:24)(cid:17)(cid:14)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:3)(cid:13)(cid:11)(cid:14)(cid:15)(cid:3) !(cid:4)(cid:7)"#$(cid:3)%(cid:11)(cid:22)(cid:3)(cid:17)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:14)(cid:17)(cid:19)(cid:28)(cid:23)(cid:3)(cid:22)(cid:15)&(cid:17)(cid:22)(cid:16)(cid:19)(cid:13)&(cid:3)(cid:14)’(cid:15)(cid:3)(cid:17)(cid:23)(cid:23)(cid:15)()(cid:28)(cid:25)(cid:3)(cid:11)%(cid:3)(cid:2)(cid:19)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:14)(cid:29)(cid:30)(cid:26)*(cid:3)(cid:26)’(cid:19)(cid:23)(cid:3)(cid:19)(cid:13)(cid:24)(cid:28)(cid:12)(cid:16)(cid:15)(cid:23) (cid:17)(cid:28)(cid:28)(cid:3)(cid:22)(cid:15)(cid:24)(cid:11)(((cid:15)(cid:13)(cid:16)(cid:17)(cid:14)(cid:19)(cid:11)(cid:13)(cid:23)(cid:3)%(cid:11)(cid:22)(cid:3)(cid:23)(cid:14)(cid:15)(cid:13)(cid:24)(cid:19)(cid:28)(cid:3)(cid:17)(cid:13)(cid:16)(cid:3)(cid:3)(cid:23)(cid:12))(cid:23)(cid:14)(cid:22)(cid:17)(cid:14)(cid:15)(cid:3)(cid:16)(cid:15)(cid:23)(cid:19)&(cid:13)(cid:23)* DIMENSIONS METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX A 6.25 6.35 0.246 0.250 B 4.80 5.05 0.189 0.201 C 3.85 3.95 0.152 0.156 D 0.35 0.45 0.014 0.018 E 0.68 0.72 0.027 0.028 F 0.68 0.72 0.027 0.028 G 1.38 1.42 0.054 0.056 H 0.80 0.84 0.032 0.033 J 0.38 0.42 0.015 0.017 K 0.88 1.01 0.035 0.039 L 2.28 2.41 0.090 0.095 M 0.616 0.676 0.0235 0.0274 R 0.020 0.080 0.0008 0.0031 P 0.08 0.17 0.003 0.007 (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)!(cid:13)(cid:3)(cid:6)(cid:10)(cid:18)(cid:13)(cid:3)"(cid:2)(cid:16)(cid:30) (cid:1) GATE MARKING LOGO PART NUMBER BATCH NUMBER DATE CODE Line above the last character of the date code indicates "Lead-Free" 8 www.irf.com

(cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:10)(cid:3) (cid:1)(cid:2)(cid:3)(cid:4)(cid:5)(cid:6)(cid:7)(cid:8)(cid:9)(cid:1)(cid:10)(cid:9)(cid:13)(cid:15)(cid:4)(cid:10)#(cid:10)$(cid:4)(cid:4)(cid:22)(cid:10)(cid:1)(cid:2)(cid:24)(cid:4)(cid:16)(cid:29)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:10)(cid:23)(cid:25)%(cid:12)&(cid:2)(cid:16)(cid:30)(cid:10)(cid:5)(cid:12)(cid:24)(cid:15)(cid:12)(cid:16)(cid:4)(cid:16)(cid:6)(cid:10)(cid:12)(cid:3)(cid:2)(cid:4)(cid:16)(cid:6)(cid:13)(cid:6)(cid:2)(cid:12)(cid:16)(cid:31) (cid:1) NOTE: Controlling dimensions in mm Std reel quantity is 4800 parts. (ordered as IRF6715MTRPBF). For 1000 parts on 7" reel, order IRF6715MTR1PBF REEL DIMENSIONS STANDARD OPTION (QTY 4800) TR1 OPTION (QTY 1000) METRIC IMPERIAL METRIC IMPERIAL CODE MIN MAX MIN MAX MIN MAX MIN MAX A 330.0 N.C 12.992 N.C 177.77 N.C 6.9 N.C B 20.2 N.C 0.795 N.C 19.06 N.C 0.75 N.C C 12.8 13.2 0.504 0.520 13.5 12.8 0.53 0.50 D 1.5 N.C 0.059 N.C 1.5 N.C 0.059 N.C E 100.0 N.C 3.937 N.C 58.72 N.C 2.31 N.C F N.C 18.4 N.C 0.724 N.C 13.50 N.C 0.53 G 12.4 14.4 0.488 0.567 11.9 12.01 0.47 N.C H 11.9 15.4 0.469 0.606 11.9 12.01 0.47 N.C LOADED TAPE FEED DIRECTION DIMENSIONS METRIC IMPERIAL NOTE: CONTROLLING DIMENSIONS IN MM CODE MIN MAX MIN MAX A 7.90 8.10 0.311 0.319 B 3.90 4.10 0.154 0.161 C 11.90 12.30 0.469 0.484 D 5.45 5.55 0.215 0.219 E 5.10 5.30 0.201 0.209 F 6.50 6.70 0.256 0.264 G 1.50 N.C 0.059 N.C H 1.50 1.60 0.059 0.063 Data and specifications subject to change without notice. This product has been designed and qualified for the Consumer market. Qualification Standards can be found on IR’s Web site. IR WORLD HEADQUARTERS: 233 Kansas St., El Segundo, California 90245, USA Tel: (310) 252-7105 TAC Fax: (310) 252-7903 Visit us at www.irf.com for sales contact information.02/2011 www.irf.com 9