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Datasheet下载- 型号： IRF6619TR1
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRF6619TR1产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6619TR1由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6619TR1价格参考。International RectifierIRF6619TR1封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 20V 30A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MX。您可以下载IRF6619TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6619TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 20V 30A DIRECTFET |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | IRF6619TR1 |
| PCN过时产品 | |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.45V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5040pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 57nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.2 毫欧 @ 30A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
| 其它名称 | IRF6619TR1CT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6619.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6619.spi |
