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  • 型号: IRF6617TR1PBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRF6617TR1PBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6617TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6617TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6617TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ ST。您可以下载IRF6617TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6617TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFETMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

14 A

Id-连续漏极电流

14 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6617TR1PBFHEXFET®

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产品型号

IRF6617TR1PBF

PCN其它

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PCN组件/产地

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PCN过时产品

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Pd-PowerDissipation

42 W

Pd-功率耗散

42 W

Qg-GateCharge

11 nC

Qg-栅极电荷

11 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

10.3 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

10.3 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

30 V

Vds-漏源极击穿电压

30 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

1.35 V to 2.35 V

Vgsth-栅源极阈值电压

1.35 V to 2.35 V

上升时间

34 ns

下降时间

3.7 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.35V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

17nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.1 毫欧 @ 15A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DIRECTFET™ ST

其它名称

IRF6617TR1PBFCT

典型关闭延迟时间

12 ns

功率-最大值

2.1W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

DirectFET™ 等容 ST

封装/箱体

DirectFET-7 ST

工厂包装数量

1000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 40 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

39 S

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

14A (Ta), 55A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6617.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6617.spi

通道模式

Enhancement

配置

Single Dual Drain Dual Source

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