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IRF6617TR1PBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6617TR1PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6617TR1PBF价格参考。International RectifierIRF6617TR1PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 14A(Ta),55A(Tc) 2.1W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ ST。您可以下载IRF6617TR1PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6617TR1PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFETMOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 8.1mOhms 11nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 14 A |
Id-连续漏极电流 | 14 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6617TR1PBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF6617TR1PBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
PCN过时产品 | |
Pd-PowerDissipation | 42 W |
Pd-功率耗散 | 42 W |
Qg-GateCharge | 11 nC |
Qg-栅极电荷 | 11 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 10.3 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 10.3 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.35 V to 2.35 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.35 V to 2.35 V |
上升时间 | 34 ns |
下降时间 | 3.7 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.35V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1300pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 8.1 毫欧 @ 15A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ ST |
其它名称 | IRF6617TR1PBFCT |
典型关闭延迟时间 | 12 ns |
功率-最大值 | 2.1W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 ST |
封装/箱体 | DirectFET-7 ST |
工厂包装数量 | 1000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 40 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 39 S |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 14A (Ta), 55A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6617.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6617.spi |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single Dual Drain Dual Source |