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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6616TR1由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6616TR1价格参考。International RectifierIRF6616TR1封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载IRF6616TR1参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6616TR1 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 19A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6616TR1 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3765pF @ 20V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 44nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 5 毫欧 @ 19A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MX |
其它名称 | IRF6616TR1CT |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MX |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 19A (Ta), 106A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6616.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6616.spi |