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IRF6613TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6613TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6613TRPBF价格参考。International RectifierIRF6613TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF6613TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6613TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF6613TRPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRF6613TRPBF常用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够提供高效的功率转换,降低能量损耗,确保电源系统的稳定性和可靠性。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频开关应用中表现出色,适合需要高效率和低发热的应用。 2. 电机驱动 在电机驱动领域,IRF6613TRPBF可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它可以实现快速的开关动作,确保电机的精确控制和高效运行。由于其出色的开关性能,该器件能够在电机启动、加速、减速和制动过程中提供稳定的电流控制,延长电机寿命并提高系统效率。 3. 电池管理系统(BMS) 在电池管理系统中,IRF6613TRPBF可以用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等。它能够快速响应电流变化,确保电池在安全范围内工作,防止过充或过放现象的发生。此外,其低导通电阻有助于减少电池内部的能量损耗,提升电池的整体性能和使用寿命。 4. 消费电子设备 该器件也适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的充电电路和电源管理模块。它能够为这些设备提供高效、稳定的电源支持,同时保持较低的功耗,延长设备的续航时间。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,IRF6613TRPBF可用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口、伺服控制系统等。它能够实现精确的信号传输和高速开关操作,确保工业设备的高效运行和稳定控制。 总结 IRF6613TRPBF凭借其优异的开关特性和低导通电阻,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、消费电子和工业自动化等领域。它不仅能够提高系统的效率和可靠性,还能有效降低能耗,满足现代电子产品对高性能和低功耗的需求。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFETMOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
Id-连续漏极电流 | 23 A |
品牌 | International Rectifier |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6613TRPBFHEXFET® |
数据手册 | |
产品型号 | IRF6613TRPBF |
PCN其它 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 89 W |
Pd-功率耗散 | 89 W |
Qg-GateCharge | 42 nC |
Qg-栅极电荷 | 42 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.25V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5950pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.4 毫欧 @ 23A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
其它名称 | IRF6613TRPBFCT |
功率-最大值 | 2.8W |
包装 | 剪切带 (CT) |
商标 | International Rectifier |
商标名 | DirectFET |
安装类型 | 表面贴装 |
封装 | Reel |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
封装/箱体 | DirectFET-3 MT |
工厂包装数量 | 4800 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 40V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 23A (Ta), 150A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6613.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6613.spi |