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Datasheet下载- 型号： IRF6613TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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IRF6613TRPBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6613TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6613TRPBF价格参考。International RectifierIRF6613TRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 40V 23A（Ta），150A（Tc） 2.8W（Ta），89W（Tc） DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF6613TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6613TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFETMOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 23 A |
| Id-连续漏极电流 | 23 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6613TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF6613TRPBF |
| PCN其它 | |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 89 W |
| Pd-功率耗散 | 89 W |
| Qg-GateCharge | 42 nC |
| Qg-栅极电荷 | 42 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.1 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 4.1 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.25V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5950pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 63nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 23A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录绘图 |
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| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
| 其它名称 | IRF6613TRPBFCT |
| 功率-最大值 | 2.8W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | DirectFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
| 封装/箱体 | DirectFET-3 MT |
| 工厂包装数量 | 4800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 23A （Ta）， 150A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6613.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6613.spi |
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