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  • 型号: IRF6613TRPBF
  • 制造商: International Rectifier
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IRF6613TRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6613TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6613TRPBF价格参考。International RectifierIRF6613TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 40V 23A(Ta),150A(Tc) 2.8W(Ta),89W(Tc) DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF6613TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6613TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies的IRF6613TRPBF是一款单通道MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景。以下是其主要应用场景:

 1. 电源管理
   IRF6613TRPBF常用于各种电源管理系统,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC适配器等。它能够提供高效的功率转换,降低能量损耗,确保电源系统的稳定性和可靠性。其低导通电阻(Rds(on))特性使其在高频开关应用中表现出色,适合需要高效率和低发热的应用。

 2. 电机驱动
   在电机驱动领域,IRF6613TRPBF可用于驱动小型直流电机、步进电机或无刷直流电机(BLDC)。它可以实现快速的开关动作,确保电机的精确控制和高效运行。由于其出色的开关性能,该器件能够在电机启动、加速、减速和制动过程中提供稳定的电流控制,延长电机寿命并提高系统效率。

 3. 电池管理系统(BMS)
   在电池管理系统中,IRF6613TRPBF可以用于电池充放电控制、过流保护和短路保护等。它能够快速响应电流变化,确保电池在安全范围内工作,防止过充或过放现象的发生。此外,其低导通电阻有助于减少电池内部的能量损耗,提升电池的整体性能和使用寿命。

 4. 消费电子设备
   该器件也适用于各种消费电子产品,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑等便携式设备中的充电电路和电源管理模块。它能够为这些设备提供高效、稳定的电源支持,同时保持较低的功耗,延长设备的续航时间。

 5. 工业自动化
   在工业自动化领域,IRF6613TRPBF可用于可编程逻辑控制器(PLC)、传感器接口、伺服控制系统等。它能够实现精确的信号传输和高速开关操作,确保工业设备的高效运行和稳定控制。

 总结
IRF6613TRPBF凭借其优异的开关特性和低导通电阻,广泛应用于电源管理、电机驱动、电池管理、消费电子和工业自动化等领域。它不仅能够提高系统的效率和可靠性,还能有效降低能耗,满足现代电子产品对高性能和低功耗的需求。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 40V 23A DIRECTFETMOSFET 40V N-CH HEXFET 3.4mOhms 42nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

23 A

Id-连续漏极电流

23 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6613TRPBFHEXFET®

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产品型号

IRF6613TRPBF

PCN其它

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PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

89 W

Pd-功率耗散

89 W

Qg-GateCharge

42 nC

Qg-栅极电荷

42 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

40 V

Vds-漏源极击穿电压

40 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.25V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5950pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

63nC @ 4.5V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

3.4 毫欧 @ 23A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240

产品目录绘图

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

DIRECTFET™ MT

其它名称

IRF6613TRPBFCT

功率-最大值

2.8W

包装

剪切带 (CT)

商标

International Rectifier

商标名

DirectFET

安装类型

表面贴装

封装

Reel

封装/外壳

DirectFET™ 等容 MT

封装/箱体

DirectFET-3 MT

工厂包装数量

4800

晶体管极性

N-Channel

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

40V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

23A (Ta), 150A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf6613.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf6613.spi

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