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IRF6607产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6607由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6607价格参考。International RectifierIRF6607封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 30V 27A(Ta),94A(Tc) 3.6W(Ta),42W(Tc) DIRECTFET™ MT。您可以下载IRF6607参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF6607 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N-CH 30V 27A DIRECTFET |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | International Rectifier |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | IRF6607 |
PCN过时产品 | |
rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | HEXFET® |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6930pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 75nC @ 4.5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 3.3 毫欧 @ 25A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
产品目录绘图 | |
产品目录页面 | |
供应商器件封装 | DIRECTFET™ MT |
其它名称 | *IRF6607 |
其它有关文件 | |
功率-最大值 | 3.6W |
包装 | 剪切带 (CT) |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | DirectFET™ 等容 MT |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 27A (Ta), 94A (Tc) |
设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf6607.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf6607.spi |