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  • 型号: IRF640STRRPBF
  • 制造商: Vishay
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IRF640STRRPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640STRRPBF由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640STRRPBF价格参考。VishayIRF640STRRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 200V 18A(Tc) 3.1W(Ta),130W(Tc) TO-263(D²Pak)。您可以下载IRF640STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF640STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的IRF640STRRPBF是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的场景。以下是该型号的具体应用场景:

1. 电源管理:IRF640STRRPBF常用于开关电源(SMPS)、直流-直流转换器(DC-DC)和电源逆变器中。其低导通电阻(Rds(on))和快速开关特性有助于提高效率,减少能量损耗。

2. 电机驱动:在电机控制应用中,如无刷直流电机(BLDC)和步进电机驱动,IRF640STRRPBF可以作为开关元件,实现高效的PWM调速和方向控制。它能够承受较高的电流和电压,确保稳定运行。

3. 电池管理系统:用于电池充电和放电保护电路中,IRF640STRRPBF可以精确控制电流流动,防止过充、过放和短路等异常情况。其低导通电阻有助于降低发热,延长电池寿命。

4. 音频放大器:在D类音频放大器中,IRF640STRRPBF作为输出级开关管,能够提供高效率和低失真性能。其快速开关速度有助于改善音质,减少功耗。

5. 工业自动化:在工业控制系统中,如可编程逻辑控制器(PLC)和伺服驱动器,IRF640STRRPBF可用于信号隔离和大电流负载控制。其耐高压和高温特性使其适用于严苛的工业环境。

6. 汽车电子:在汽车电子系统中,如电动助力转向(EPS)、电动刹车和车载逆变器,IRF640STRRPBF能够承受较大的电流波动和温度变化,确保系统的可靠性和安全性。

7. 照明系统:在LED驱动器和荧光灯镇流器中,IRF640STRRPBF可以实现高效调光和恒流控制,确保灯具的稳定工作和长寿命。

总之,IRF640STRRPBF凭借其优异的电气性能和可靠性,广泛应用于各种电力电子设备中,特别是在需要高效能、低损耗和高可靠性的场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 18 Amp

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

18 A

Id-连续漏极电流

18 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640STRRPBF-

数据手册

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产品型号

IRF640STRRPBFIRF640STRRPBF

Pd-PowerDissipation

3.1 W

Pd-功率耗散

3.1 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

180 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

180 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

200 V

Vds-漏源极击穿电压

200 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

上升时间

51 ns

下降时间

36 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1300pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

70nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

180 毫欧 @ 11A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

TO-263(D2Pak)

其它名称

IRF640STRRPBFCT

典型关闭延迟时间

45 ns

功率-最大值

130W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

180 mOhms

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

汲极/源极击穿电压

200 V

漏极连续电流

18 A

漏源极电压(Vdss)

200V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

18A (Tc)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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