【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRF640STRRPBF】封装/厂家_IRF640STRRPBF中文资料_价格

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型号： IRF640STRRPBF
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRF640STRRPBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF640STRRPBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF640STRRPBF价格参考。VishayIRF640STRRPBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，表面贴装 N 沟道 200V 18A（Tc） 3.1W（Ta），130W（Tc） TO-263（D²Pak）。您可以下载IRF640STRRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF640STRRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 200V 18A D2PAKMOSFET N-Chan 200V 18 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	18 A
Id-连续漏极电流	18 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRF640STRRPBF-
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产品型号	IRF640STRRPBFIRF640STRRPBF
Pd-PowerDissipation	3.1 W
Pd-功率耗散	3.1 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	180 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	180 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	200 V
Vds-漏源极击穿电压	200 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	51 ns
下降时间	36 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	1300pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	70nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	180 毫欧 @ 11A，10V
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-263（D2Pak）
其它名称	IRF640STRRPBFCT
典型关闭延迟时间	45 ns
功率-最大值	130W
包装	剪切带（CT）
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
导通电阻	180 mOhms
封装	Reel
封装/外壳	TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
封装/箱体	D2PAK-2
工厂包装数量	800
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 175 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	1
汲极/源极击穿电压	200 V
漏极连续电流	18 A
漏源极电压(Vdss)	200V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	18A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single

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